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1. (WO2014061974) COMPOSITE OXYDE DE SILICIUM - CARBONE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061974    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/009212
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
C01B 33/149 (2006.01), H01M 4/48 (2010.01), H01M 10/05 (2010.01), C01B 33/113 (2006.01)
Déposants : LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 128, Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 150-721 (KR)
Inventeurs : PARK, Cheol Hee; (KR).
JEONG, Han Nah; (KR).
JUNG, Sang Yun; (KR).
LIM, Byung Kyu; (KR).
LEE, Yong Ju; (KR)
Mandataire : BAE, KIM & LEE IP GROUP; 11th Floor, 343, Gangnam-daero Seocho-gu, Seoul 137-858 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0114841 16.10.2012 KR
10-2013-0122146 14.10.2013 KR
Titre (EN) SILICON OXIDE-CARBON COMPOSITE AND METHOD FOR PREPARING SAME
(FR) COMPOSITE OXYDE DE SILICIUM - CARBONE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CELUI-CI
(KO) 규소 산화물-탄소 복합체 및 이의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a silicon oxide-carbon composite and a method for preparing same, and more particularly, to a method for preparing a silicon oxide-carbon composite and to a silicon oxide-carbon composite prepared thereby, the method comprising the steps of: mixing silicon and silicon dioxide and providing same inside a reaction chamber; reducing pressure inside the reaction chamber to reach a high vacuum level while increasing the temperature inside the reaction chamber to a reaction temperature; performing a reaction of the silicon and the silicon dioxide in a reducing atmosphere; and coating carbon on the surface of the silicon oxide prepared by the reaction.
(FR)La présente invention concerne un composite oxyde de silicium-carbone, et un procédé pour sa préparation, et plus particulièrement, un procédé pour préparer un composite oxyde de silicium-carbone et un composite oxyde de silicium-carbone ainsi préparé, le procédé comprenant les étapes de : mélange de silicium et de dioxyde de silicium et leur transfert à l’intérieur d’une chambre de réaction ; réduction de la pression à l’intérieur de la chambre de réaction pour atteindre un niveau de vide élevé tout en augmentant la température à l’intérieur de la chambre de réaction à une température de réaction ; conduite d’une réaction du silicium et du dioxyde de silicium dans une atmosphère réductrice ; et application de carbone sur la surface de l’oxyde de silicium préparé par la réaction.
(KO)본 발명은 규소 산화물―탄소 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 규소 및 이산화규소를 혼합하여 반응 챔버내에 구비시키고, 상기 반응 챔버내의 내부온도를 반응온도까지 승온시키면서 상기 반응 챔버내의 압력을 고진공도에 이르도록 감압하며, 상기 규소 및 이산화규소의 혼합물을 환원 분위기하에서 반응시키고, 상기 반응으로 제조된 규소 산화물의 표면에 탄소를 코팅시키는 것을 포함하는 규소 산화물-탄소 복합체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 규소 산화물-탄소 복합체에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)