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1. (WO2014061971) ELÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS À LUMINOSITÉ ÉLEVÉE AYANT UNE TRANCHÉE DE SÉPARATION DE RÉGIONS ÉMETTRICES DE LUMIÈRE ET UN EXCELLENT EFFET DE DISPERSION DE COURANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061971    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/009208
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : ILJIN LED CO., LTD. [KR/KR]; 718-3 Wonsi-dong, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 425-090 (KR)
Inventeurs : HWANG, Seung-Joo; (KR).
KIM, Dong-Woo; (KR).
SONG, Jung-Sub; (KR)
Mandataire : DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 3F, 4F, 5F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 135-936 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0116242 18.10.2012 KR
Titre (EN) HIGH-BRIGHTNESS SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT HAVING LIGHT-EMITTING REGION SEPARATION TRENCH AND EXCELLENT CURRENT DISPERSION EFFECT
(FR) ELÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS À LUMINOSITÉ ÉLEVÉE AYANT UNE TRANCHÉE DE SÉPARATION DE RÉGIONS ÉMETTRICES DE LUMIÈRE ET UN EXCELLENT EFFET DE DISPERSION DE COURANT
(KO) 발광 영역 분리 트렌치를 갖는 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 반도체 발광소자
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor light-emitting element comprising a light-emitting region separation trench and a contact hole structure. A semiconductor light-emitting element, according to the present invention, can widen an effective light-emitting area by evenly dispersing a current flowing through a semiconductor layer. In addition, according to the separation of each light-emitting region by a light-emitting region separation trench, an effect can be obtained such that individual elements are connected in parallel, and the improvement of optical efficiency can also be expected.
(FR)La présente invention porte sur un élément émetteur de lumière à semi-conducteurs comprenant une tranchée de séparation de régions émettrices de lumière et une structure de trou de contact. Un élément émetteur de lumière à semi-conducteurs, selon la présente invention, peut élargir une zone émettrice de lumière efficace par dispersion équitablement d'un courant circulant à travers une couche de semi-conducteur. De plus, selon la séparation de chaque région émettrice de lumière par une tranchée de séparation de régions émettrices de lumière, un effet peut être obtenu de telle sorte que des éléments individuels sont connectés en parallèle, et l'amélioration de l'efficacité optique peut également être espérée.
(KO)본 발명은 발광 영역 분리 트렌치 및 컨택홀 구조를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 발광소자는 반도체층을 통하여 흐르는 전류를 고르게 분산하여, 유효 발광 면적을 넓힐 수 있다. 또한 발광 영역 분리용 트렌치에 의하여 각 발광 영역이 분리됨에 따라 개별 소자가 병렬 연결된 것과 같은 효과를 얻을 수 있으며, 광효율의 향상도 기대할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)