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1. (WO2014061906) PROCÉDÉ DE SÉPARATION DE SUBSTRAT DE CROISSANCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE FABRIQUÉE PAR LESDITS PROCÉDÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061906    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/006960
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 01.08.2013
CIB :
H01L 33/12 (2010.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 425-851 (KR)
Inventeurs : HEO, Jeong Hun; (KR).
CHOI, Joo Won; (KR).
LEE, Choong Min; (KR).
KIM, Young Wug; (KR).
SHIN, Su Jin; (KR).
HONG, Su Youn; (KR)
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu Seoul 135-935 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0114128 15.10.2012 KR
10-2012-0114129 15.10.2012 KR
Titre (EN) METHOD FOR SEPARATING GROWTH SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE, AND LIGHT-EMITTING DIODE MANUFACTURED USING METHODS
(FR) PROCÉDÉ DE SÉPARATION DE SUBSTRAT DE CROISSANCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE, ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE FABRIQUÉE PAR LESDITS PROCÉDÉS
(KO) 성장 기판 분리 방법, 발광 다이오드 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a method for separating a growth substrate, a method for manufacturing a light-emitting diode, and the light-emitting diode. The method for separating a growth substrate, according to one embodiment, comprises: preparing a growth substrate; forming a sacrificial layer and a mask pattern on the growth substrate; etching the sacrificial layer by using electrochemical etching (ECE); covering the mask pattern, and forming a plurality of nitride semiconductor stacking structures which are separated from each other by an element separation area; attaching a support substrate to the plurality of semiconductor stacking structures, wherein the support substrate has a plurality of through-holes connected to the element separation area; and separating the growth substrate from the nitride semiconductor stacking structures.
(FR)Cette invention concerne un procédé de séparation d'un substrat de croissance, un procédé de fabrication de diode électroluminescente, et une diode électroluminescente. Selon un mode de réalisation, ledit procédé de séparation d'un substrat de croissance comprend les étapes consistant à : préparer un substrat de croissance; former une couche sacrificielle et un motif de masque sur le substrat de croissance; graver la couche sacrificielle par gravure électrochimique (GEC); recouvrir le motif de masque et former une pluralité de structures empilées de semi-conducteurs à base de nitrure séparées les unes des autres par une zone de séparation d'élément; fixer un substrat de support à la pluralité de structures empilées de semi-conducteurs, ledit substrat de support présentant une pluralité d'orifices traversants reliés à la zone de séparation d'élément; et séparer le substrat de croissance des structures empilées de semi-conducteurs à base de nitrure.
(KO)성장 기판 분리 방법, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드가 개시된다. 일 실시예에 따른 성장 기판 분리 방법은, 성장 기판을 준비하고; 성장 기판 상에 희생층 및 마스크 패턴을 형성하고; 전기화학식각(ECE)을 이용하여 희생층을 식각하고; 마스크 패턴을 덮으며, 소자 분리 영역에 의해 서로 분리된 복수의 질화물 반도체 적층 구조를 형성하고; 복수의 반도체 적층 구조 상에 지지기판을 부착하되, 지지 기판은 소자 분리 영역에 연결되는 복수의 관통홀들을 갖고; 성장 기판을 질화물 반도체 적층 구조로부터 분리하는 것을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)