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1. (WO2014061857) DOPANT DE TYPE P EFFICACE ET OXYDE DE RHÉNIUM PERMETTANT DE FRANCHIR UN GRAPHE COURANT-TENSION EN S DANS UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ORGANIQUE EN UTILISANT UN DONNEUR D'ÉLECTRONS AVEC UN FAIBLE NIVEAU D'ÉNERGIE D'ORBITALE MOLÉCULAIRE LA PLUS HAUTE OCCUPÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061857    N° de la demande internationale :    PCT/KR2012/009638
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.11.2012
CIB :
H01L 51/46 (2006.01), H01L 51/48 (2006.01)
Déposants : SNU R&DB FOUNDATION [KR/KR]; San 56-1 Sillim-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-742 (KR)
Inventeurs : KIM, Jang-Joo; (KR).
KIM, Dae-Ho; (KR).
KIM, Tae-Min; (KR).
JEONG, Won-Ik; (KR)
Mandataire : Y.P.LEE, MOCK & PARTNERS; 12F Daelim Acrotel, 13 Eonju-ro 30-gil (Dogok-dong), Gangnam-gu, Seoul 135-971 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0116068 18.10.2012 KR
Titre (EN) EFFECTIVE P-TYPE DOPANT AND RHENIUM OXIDE FOR OVERCOMING S-TYPE CURRENT-VOLTAGE GRAPH IN ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELL USING ELECTRON DONOR WITH LOW HIGHEST OCCUPIED MOLECULAR ORBITAL ENERGY LEVEL
(FR) DOPANT DE TYPE P EFFICACE ET OXYDE DE RHÉNIUM PERMETTANT DE FRANCHIR UN GRAPHE COURANT-TENSION EN S DANS UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ORGANIQUE EN UTILISANT UN DONNEUR D'ÉLECTRONS AVEC UN FAIBLE NIVEAU D'ÉNERGIE D'ORBITALE MOLÉCULAIRE LA PLUS HAUTE OCCUPÉE
(KO) 낮은 최고준위점유분자궤도 에너지 준위의 전자 공여체를 사용한 유기 태양전지에서 S형태의 전류-전압 그래프를 극복하기 위한 효과적인 p형 도펀트, 레늄 산화물
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a first electrode, a first hole transport layer that is formed on the first electrode and has a p-type dopant contained in a first hole transport material, a second hole transport layer that is formed on the first hole transport layer, a photoactive layer that is formed on the second hole transport layer and has a donor layer and an acceptor layer, and an organic photovoltaic cell that has a second electrode which is formed on the photoactive layer, in which the highest occupied molecular orbital energy level of the donor layer is -5.6 eV or less, the highest occupied molecular orbital energy level of the second hole transport layer is higher than the highest occupied molecular orbital energy level of the donor layer by 0 or 0.1 eV, and a Fermi level of the p-type dopant is lower than a highest occupied molecular orbital energy level of the first hole transport material.
(FR)L'invention concerne une première électrode, une première couche de transport de trou qui est formée sur la première électrode et comprend un dopant de type p contenu dans un premier matériau de transport de trou, une deuxième couche de transport de trou qui est formée sur la première couche de transport de trou, une couche photoactive qui est formée sur la deuxième couche de transport de trou et a une couche donneuse et une couche acceptrice, et une cellule photovoltaïque organique qui a une deuxième électrode qui est formée sur la couche photoactive, dans laquelle le niveau d'énergie d'orbitale moléculaire la plus haute occupée de la couche donneuse est inférieur ou égal à -5,6 eV, le niveau d'énergie d'orbitale moléculaire la plus haute occupée de la deuxième couche de transport de trou est supérieur au niveau d'énergie d'orbitale moléculaire la plus haute occupée de la couche donneuse de 0 ou 0,1 eV, et un niveau de Fermi du dopant de type p est inférieur à un niveau d'énergie d'orbitale moléculaire la plus haute occupée du premier matériau de transport de trou.
(KO)제1전극 상기 제1전극 상에 형성되고, 제1정공수송물질에 p형 도펀트가 포함된 제1정공수송층 상기 제1정공수송층 상에 형성된 제2정공수송층 상기 제2정공수송층 상에 형성되고, 도너층과 억셉터층을 포함한 광활성층 및 상기 광활성층 상에 형성된 제2전극을 포함하고, 상기 도너층의 최고준위점유분자궤도 에너지 준위가 -5.6 eV 이하이고, 상기 제2정공수송층의 최고준위점유분자궤도 에너지 준위가 상기 도너층의 최고준위점유분자궤도 에너지 준위보다 0 내지 0.1eV만큼 높고, 상기 p형 도펀트의 페르미 준위가 상기 제1정공수송물질의 최고준위점유분자궤도 에너지 준위보다 낮은 유기태양전지가 제공된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)