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1. (WO2014061760) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061760    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/078243
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 17.10.2013
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP)
Inventeurs : WATANABE Yoji; (JP)
Mandataire : OMORI Satoshi; Omori Patent Office, 2075-2-501, Noborito, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2140014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-231484 19.10.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR PRODUCING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF
(JA) パターン形成方法及びデバイス製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This method for forming a pattern has: a step for forming, on a first mask layer on the first intermediate layer of a wafer, a third and fourth plurality of line patterns, which have differing etching characteristics and have a first direction as the lengthwise direction thereof, in a manner so that one edge section of the third and fourth plurality of line patterns are adjacent; a step for successively eliminating a portion of the third and fourth line patterns; a step for forming a mask pattern by filling a concavity of the first mask layer with a mask material and eliminating the line patterns; and a step for processing the first intermediate layer via the mask pattern. It is possible to form a pattern containing a detailed, non-cyclic section using an exposure device or a lithography step.
(FR)Cette invention concerne un procédé de formation de motif, comprenant les étapes consistant à : former, sur une couche de masque sur la première couche intermédiaire d'une tranche, une troisième et une quatrième pluralité de motifs de lignes présentant des caractéristiques de gravure différentes et orientés dans une première direction en tant que leur direction dans le sens de la longueur, de telle façon que des sections de bord de la troisième et de la quatrième pluralité de motifs de lignes soient adjacentes ; éliminer successivement une partie des troisièmes et quatrièmes motifs de lignes ; former un motif de masque en remplissant d'un matériau de masque une concavité de la première couche de masque et en éliminant les motifs de lignes ; et traiter la première couche intermédiaire à travers le motif de masque. Le procédé selon l'invention permet de former un motif contenant une section non cyclique détaillée au moyen d'un dispositif d'exposition ou d'une étape de photolithographie.
(JA) パターン形成方法は、ウエハの第1中間層上の第1マスク層に、第1方向を長手方向としてエッチング特性が異なる第3及び第4の複数のラインパターンを一方のエッジ部が隣接するように形成するステップと、第3及び第4のラインパターンの一部を順次除去するステップと、その第1マスク層の凹部にマスク材料を充填しラインパターンを除去してマスクパターンを形成するステップと、そのマスクパターンを介して第1中間層を加工するステップと、を有する。微細な非周期的な部分を含むパターンを露光装置又はリソグラフィー工程を用いて形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)