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1. (WO2014061724) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061724    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/078145
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 17.10.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.03.2014    
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : NISSAN MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 2, Takara-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210023 (JP)
Inventeurs : MARUI, Toshiharu; (JP).
HAYASHI, Tetsuya; (JP).
YAMAGAMI, Shigeharu; (JP).
NI, Wei; (JP).
EMORI, Kenta; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-231401 19.10.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (100) is provided with: a semiconductor base body (1); a first conductivity-type drift region (2), which has a trench in a part of an upper portion thereof, and which is disposed on a first main surface of the semiconductor base body (100); a second conductivity-type electric field relaxing region (4) that is disposed, at the bottom of the trench, merely on the areas at the periphery of the corner portions, said areas excluding a center portion at the bottom; an anode electrode (9) embedded in the trench; and a cathode electrode (10) that is disposed on a second main surface of the semiconductor base body (100), said second main surface facing the first main surface.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (100) qui comprend : un corps de base de semi-conducteur (1) ; une région de dérive de premier type de conductivité (2), qui possède une tranchée dans une partie d'une partie supérieure de celle-ci, et qui est disposée sur une première surface principale du corps de base de semi-conducteur (100) ; une région de relaxation de champ électrique de second type de conductivité (4) qui est disposée au fond de la tranchée uniquement sur les zones à la périphérie des parties de coin, lesdites zones excluant une partie centrale au fond ; une électrode d'anode (9) intégrée dans la tranchée ; et une électrode de cathode (10) qui est disposée sur une seconde surface principale du corps de base de semi-conducteur (100), ladite seconde surface principale faisant face à la première surface principale.
(JA) 半導体装置(100)は、半導体基体(1)と、上部の一部に溝を有し、半導体基体(100)の第1の主面上に配置された第1導電型のドリフト領域(2)と、溝の底部においては中央部を除いた角部の周囲のみに配置された第2導電型の電界緩和領域(4)と、溝に埋め込まれたアノード電極(9)と、半導体基体(100)の第1の主面に対向する第2の主面上に配置されたカソード電極(10)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)