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1. (WO2014061713) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061713    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/078115
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 09.10.2013
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/365 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
SUZAWA, Hideomi; .
SASAGAWA, Shinya; .
TANAKA, Tetsuhiro;
Données relatives à la priorité :
2012-230365 17.10.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)To provide a highly reliable semiconductor device including an oxide semiconductor by suppression of change in its electrical characteristics. Oxygen is supplied from a base insulating layer provided below an oxide semiconductor layer and a gate insulating layer provided over the oxide semiconductor layer to a region where a channel is formed, whereby oxygen vacancies which might be generated in the channel are filled. Further, extraction of oxygen from the oxide semiconductor layer by a source electrode layer or a drain electrode layer in the vicinity of the channel formed in the oxide semiconductor layer is suppressed, whereby oxygen vacancies which might be generated in a channel are suppressed.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur hautement fiable comprenant un semi-conducteur d'oxyde par suppression de changement de ses caractéristiques électriques. De l'oxygène est injecté à partir d'une couche isolante de base disposée sous une couche semi-conductrice d'oxyde et d'une couche isolante de grille disposée au-dessus de la couche semi-conductrice d'oxyde dans une zone où est formé un canal, les lacunes d'oxygène qui peuvent être générées dans le canal étant remplies. En outre, l'extraction d'oxygène à partir de la couche semi-conductrice d'oxyde par une couche d'électrode de source ou une couche d'électrode de drain au voisinage du canal formé dans la couche semi-conductrice d'oxyde est supprimée, les lacunes d'oxygènes qui peuvent être générées dans le canal étant supprimées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)