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1. (WO2014061700) FILM À HAUTE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061700    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/078073
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 16.10.2013
CIB :
C08L 27/16 (2006.01), C08J 5/18 (2006.01), C08K 3/20 (2006.01), G02B 3/14 (2006.01), G02B 26/00 (2006.01), G02B 26/02 (2006.01), G02F 1/19 (2006.01), H01G 4/18 (2006.01)
Déposants : DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; Umeda Center Building, 4-12, Nakazaki-Nishi 2-Chome, Kita-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5308323 (JP)
Inventeurs : TATEMICHI Mayuko; .
OTA Miharu; .
YOKOTANI Kouji; .
KOMATSU Nobuyuki; .
NAKAMURA Hisako; .
SHIGENAI Fumiko; .
HAZAMA Takeshi; .
KINOSHITA Masakazu; .
KOH Meiten; .
ISHIKAWA Takuji; .
IGUCHI Takashi; .
UCHIDA Kazunobu; .
FUKATANI Tomoyuki; .
KITAHARA Takahiro; .
KODANI Tetsuhiro;
Mandataire : YASUTOMI & ASSOCIATES; 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-228973 16.10.2012 JP
2013-007606 18.01.2013 JP
Titre (EN) HIGH DIELECTRIC FILM
(FR) FILM À HAUTE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE
(JA) 高誘電性フィルム
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a film which has a high relative dielectric constant and a low dielectric loss tangent. The present invention is a high dielectric film which is characterized by being formed of a vinylidene fluoride/tetrafluoroethylene copolymer (A) that has a vinylidene fluoride/tetrafluoroethylene molar ratio of from 95/5 to 80/20. This high dielectric film is also characterized by being configured from an α-type crystal structure and a β-type crystal structure, with the β-type crystal structure occupying 50% or more.
(FR)La présente invention vise à fournir un film présentant une constante diélectrique relative élevée et un faible facteur de dissipation diélectrique. À cet effet, la présente invention concerne un film à constante diélectrique élevée caractérisé en étant constitué d'un copolymère de fluorure de vinylidène/tétrafluotoéthylène (A) qui présente un rapport molaire fluorure de vinylidène/tétrafluotoéthylène entre 95/5 et 80/20. Ce film à constante diélectrique élevée est également caractérisé en étant configuré à partir d'une structure cristalline de type α et d'une structure cristalline de type ß, la structure de type ß occupant au moins 50 %.
(JA)本発明は、高い比誘電率及び低い誘電正接を有するフィルムを提供することを目的とする。 本発明は、フッ化ビニリデン/テトラフルオロエチレンがモル比で95/5~80/20であるフッ化ビニリデン/テトラフルオロエチレン共重合体(A)からなり、かつ、α型の結晶構造とβ型の結晶構造とから構成され、β型の結晶構造が50%以上であることを特徴とする高誘電性フィルムである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)