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1. (WO2014061625) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES ÉQUIPÉ D'UN MÉCANISME DE REFROIDISSEMENT POUR LA SOURCE DE FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES, ET SOURCE DE FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061625    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/077887
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
H01J 27/26 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/16 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
Déposants : HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventeurs : ARAI Noriaki; (JP)
Mandataire : HIRAKI Yusuke; Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-228993 16.10.2012 JP
Titre (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE EQUIPPED WITH COOLING MECHANISM FOR CHARGED PARTICLE BEAM SOURCE, AND CHARGED PARTICLE BEAM SOURCE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES ÉQUIPÉ D'UN MÉCANISME DE REFROIDISSEMENT POUR LA SOURCE DE FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES, ET SOURCE DE FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線源の冷却機構を具備する荷電粒子線装置及び荷電粒子線源
Abrégé : front page image
(EN) This charged particle beam device is provided with: a charged particle beam source that discharges a charged particle beam; a charged particle beam optical system that focuses the charged particle beam and irradiates same on a specimen; and a cooling mechanism for cooling a chip. The charged particle beam source is provided with an insulation structure member (31), having an insulation structure for controlling the heat inflow from the atmosphere side, between the chip (4) and a high-voltage terminal (8). The heat transmission path, in the insulation structure member (31), from the end part at the high-voltage terminal side to the end part at the chip side, is longer than the linear distance (I1), in the insulation structure member (31), between the end part at the high-voltage terminal side and the end part at the chip side. Thus the size of an ion gun can be reduced, the heat transmission efficiency between a chip and a heat exchanger can be improved, and the insulation properties inside an ion gun can be improved.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à faisceau de particules chargées qui est équipé : d'une source de faisceau de particules chargées qui décharge un faisceau de particules chargées; d'un système optique à faisceau de particules chargées qui dirige le faisceau de particules chargées et irradie celui-ci sur un spécimen; et d'un mécanisme de refroidissement qui permet de refroidir une puce. La source de faisceau de particules chargées est équipée d'un élément de structure isolante (31), qui est pourvu d'une structure isolante permettant de contrôler l'entrée de chaleur en provenance de l'atmosphère, entre la puce (4) et une borne à haute tension (8). La voie de transmission de chaleur, dans l'élément de structure isolante (31), depuis la partie d'extrémité du côté de la borne à haute tension jusqu'à la partie d'extrémité du côté de la puce, est plus longue que la distance linéaire (I1), dans l'élément de structure isolante (31), entre la partie d'extrémité du côté de la borne à haute tension et la partie d'extrémité du côté de la puce. De la sorte, la taille d'un canon ionique peut être réduite, le rendement de transmission de chaleur entre une puce et un échangeur de chaleur peut être amélioré, et les propriétés d'isolation à l'intérieur d'un canon ionique peuvent être améliorées.
(JA) 荷電粒子線装置は、荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、荷電粒子線を集束して試料に照射する荷電粒子線光学系と、チップを冷却する冷却機構とを備える。前記荷電粒子線源は、前記チップ(4)と高電圧端子(8)との間に、大気側からの熱流入を抑制する断熱構造を有する断熱構造部材(31)を備え、断熱構造部材(31)における高電圧端子側の端部からチップ側の端部への伝熱経路が、断熱構造部材(31)における高電圧端子側の端部からチップ側の端部への直線距離(l1)よりも長くなっている。 イオン銃を小型化してチップと熱交換器との間の伝熱効率を向上させつつ、イオン銃内の断熱性能を向上させることが可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)