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1. (WO2014061610) RÉSEAU DE PHOTODIODES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061610    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/077839
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 11.10.2013
CIB :
H01L 31/107 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventeurs : YAMAMOTO Koei; (JP).
NAGANO Terumasa; (JP).
YAMAMURA Kazuhisa; (JP).
SATO Kenichi; (JP).
TSUCHIYA Ryutaro; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-230921 18.10.2012 JP
Titre (EN) PHOTODIODE ARRAY
(FR) RÉSEAU DE PHOTODIODES
(JA) フォトダイオードアレイ
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] The objective is to provide a photodiode array having high temporal resolution. [Solution] A light-receiving region contains a plurality of light detection units (10), and each light detection unit (10) is provided with: a first semiconductor region (12) of a first conductivity type; a second semiconductor region (13, 14) of a second conductivity type configuring a p-n junction with the first semiconductor region (12); a first contact electrode (3A) that contacts the second semiconductor region; a second contact electrode (4A) that is provided with a material differing from that of the first contact electrode (3A), is disposed at a position overlapping the first contact electrode (3A), and contacts the first contact electrode; and a resistor layer (4B) that is contiguous with the second contact electrode (4A).
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un réseau de photodiodes qui est doté d'une résolution temporelle élevée. Pour ce faire, la présente invention a trait à une région de réception de lumière qui contient une pluralité d'unités de détection de lumière (10), et chaque unité de détection de lumière (10) étant équipée : d'une première région semi-conductrice (12) qui est dotée d'un premier type de conductivité ; d'une seconde région semi-conductrice (13, 14) qui est dotée d'un second type de conductivité configurant une jonction p-n avec la première région semi-conductrice (12) ; d'une première électrode de contact (3A) qui entre en contact avec la seconde région semi-conductrice ; d'une seconde électrode de contact (4A) qui est dotée d'un matériau différent de celui de la première électrode de contact (3A), qui est disposée à un emplacement chevauchant la première électrode de contact (3A), et qui entre en contact avec la première électrode de contact ; et d'une couche de résistance (4B) qui est contiguë à la seconde électrode de contact (4A).
(JA)【課題】 高時間分解能のフォトダイオードアレイを提供することを目的とする。 【解決手段】 受光領域は複数の光検出部10を含み、個々の光検出部10は、第1導電型の第1半導体領域12と、第1半導体領域12とpn接合を構成する第2導電型の第2半導体領域13,14と、第2半導体領域に接触する第1コンタクト電極3Aと、第1コンタクト電極3Aとは異なる材料を備え、第1コンタクト電極3Aに重なる位置に配置され、第1コンタクト電極に接触する第2コンタクト電極4Aと、第2コンタクト電極4Aに連続する抵抗層4Bとを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)