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1. (WO2014061590) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER UN FILM ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061590    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/077769
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 11.10.2013
CIB :
B05D 5/12 (2006.01), B05D 3/02 (2006.01), B05D 7/24 (2006.01), H01J 5/10 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01), H01J 11/38 (2012.01)
Déposants : TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666 (JP)
Inventeurs : ISHIKAWA, Akihiro; (JP).
MITSUI, Hiroko; (JP).
MATSUMURA, Nobuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-231482 19.10.2012 JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING INSULATING FILM
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER UN FILM ISOLANT
(JA) 絶縁膜の形成方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a smooth insulating film having the characteristics of high voltage resistance and high visible light permeability while being devoid of cracking and surface irregularities regardless of the presence of irregularities in a substrate due to an electrode, etc. The present invention provides a method of forming an insulating film comprising a coating step, a semi-curing step, and a firing step. In the coating step, a substrate having irregularities is coated with an insulating paste containing a heat polymerization initiator, a thermosetting component, and glass particles to obtain a coating film. In the semi-curing step, the coating film is heated at a temperature T1 and then cooled to a temperature T2 that is lower than T1 to obtain a semi-cured film that has been 30 to 95% cured. In the firing step, the semi-cured film is heated to obtain an insulating film.
(FR)La présente invention se rapporte à un film isolant lisse qui présente des caractéristiques de résistance à la tension élevée et de perméabilité élevée à la lumière visible tout en étant dépourvu de fissures et d'irrégularités de surface indépendamment de la présence d'irrégularités formées dans un substrat à cause d'une électrode, etc. La présente invention se rapporte à un procédé permettant de former un film isolant, ledit procédé comprenant une étape de revêtement, une étape de semi-durcissement et une étape de cuisson. Au cours de l'étape de revêtement, un substrat qui présente des irrégularités est recouvert d'une pâte isolante qui contient un initiateur de polymérisation thermique, un composant thermodurcissable et des particules de verre afin d'obtenir un film de revêtement. Au cours de l'étape de semi-durcissement, le film de revêtement est chauffé à une température T1 et est ensuite refroidi à une température T2 qui est inférieure à la température T1 afin d'obtenir un film semi-durci qui a été durci entre 30 et 95 %. Au cours de l'étape de cuisson, le film semi-durci est chauffé pour obtenir un film isolant.
(JA)本発明は、高耐電圧及び高可視光透過率といった特性を有し、電極等による基板上の凹凸の有無に関わらず、クラックや表面凹凸のない平滑な絶縁膜を提供することを目的とする。本発明は、凹凸を有する基板上に、熱重合開始剤、熱硬化性成分及びガラス粒子を含有する絶縁ペーストを塗布して、塗布膜を得る、塗布工程と、塗布膜を、温度Tで加熱してからTよりも低い温度Tに冷却して、硬化率が30~95%の半硬化膜を得る、半硬化工程と、半硬化膜を加熱して、絶縁膜を得る、焼成工程と、を備える、絶縁膜の形成方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)