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1. (WO2014061465) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ORGANIQUE, COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET MATÉRIAU DE SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061465    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/077021
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 04.10.2013
CIB :
H01L 51/05 (2006.01), C07D 493/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : KITAMURA Tetsu; (JP).
TAKAKU Koji; (JP).
SOTOYAMA Wataru; (JP)
Mandataire : SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-227655 15.10.2012 JP
Titre (EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, ORGANIC SEMI-CONDUCTOR THIN FILM, AND ORGANIC SEMI-CONDUCTOR MATERIAL
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ORGANIQUE, COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET MATÉRIAU DE SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
Abrégé : front page image
(EN)An organic thin-film transistor which uses a compound represented by general formula (1) in a semi-conductor active layer, and which has high carrier mobility, and low variation of threshold voltage after repeated driving. R1-R10 represent hydrogen atoms or substituents; at least one from among R1-R10 is a substituent represented by general formula (W), or an aromatic hydrocarbon ring formed of an adjacent two from among R1-R10 has the substituent represented by general formula (W). * represents a bonding position to a benzo bis benzofuran framework; L represents a single bond or a divalent linking group; R represents a substituted or a non-substituted non-cyclic alkyl group having a carbon number of two or more, or an oligoethyleneoxy group having two or more repeating ethyleneoxy units, or an oligosiloxane group having two or more silicon atoms. *-L-R:general formula (W)
(FR)La présente invention concerne un transistor en couches minces organiques qui utilise un composé représenté par la formule générale (1) dans une couche active de semi-conducteur, et qui a une mobilité de porteurs de charge élevée, et une faible variation de tension seuil après une excitation répétée. R1-R10 représentent des atomes d'hydrogène ou substituants ; au moins un composé parmi R1-R10 est un substituant représenté par la formule générale (W), ou un noyau hydrocarboné aromatique formé de deux composés parmi R1-R10 a le substituant représenté par la formule générale (W). * représente une position de liaison à une structure benzo bis benzofuran ; L représente une liaison simple ou un groupe de liaison bivalent ; R représente un groupe alkyle non cyclique substitué ou non substitué ayant au moins deux atomes de carbone, ou un groupe oligoéthylèneoxy ayant au moins deux unités éthylèneoxy répétées, ou un groupe oligosiloxane ayant au moins deux atomes de silicium. *-L-R : formule générale (W)
(JA) 一般式(1)で表される化合物を半導体活性層に用いた有機薄膜トランジスタは、キャリア移動度が高く、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さい。R~R10は水素原子または置換基;R~R10のうち少なくとも1つが下記一般式(W)で表される置換基であるか、R~R10のうち隣り合う2つで形成される芳香族炭化水素環が一般式(W)で表される置換基を有する。*はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位;Lは単結合または2価の連結基;Rは置換または無置換の炭素数2以上の非環状アルキル基、エチレンオキシ単位の繰り返し数が2以上のオリゴエチレンオキシ基またはケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基を表す。 *–L–R:一般式(W)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)