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1. (WO2014061448) MODULE À HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061448    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/076770
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 02.10.2013
CIB :
H04B 1/04 (2006.01), H05K 3/46 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : MUTO, Hideki; (JP)
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-229671 17.10.2012 JP
Titre (EN) HIGH FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE À HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
Abrégé : front page image
(EN)A high frequency module (1) is provided with a laminated substrate (11), a power amplifier (12), thermal vias (91, 92), and a bandpass filter (13). The power amplifier (12) is mounted on the laminated substrate (11). The thermal vias (91, 92) are formed in the laminated substrate (11), said thermal vias being directly under the power amplifier (12), and the thermal vias are used for the purpose of dissipating heat from the power amplifier (12). The bandpass filter (13) is formed in the laminated substrate (11), and is connected to the power amplifier (12). The thermal via (92) is used as an inductor that constitutes the bandpass filter (13). The bandpass filter (13) overlaps the power amplifier (12) when viewed from the lamination direction of the laminated substrate (11).
(FR)L'invention concerne un module (1) à haute fréquence comportant un substrat stratifié (11), un amplificateur (12) de puissance, des traversées thermiques (91, 92) et un filtre passe-bande (13). L'amplificateur (12) de puissance est monté sur le substrat stratifié (11). Les traversées thermiques (91, 92) sont formées dans le substrat stratifié (11), lesdites traversées thermiques se trouvant immédiatement sous l'amplificateur (12) de puissance et les traversées thermiques étant utilisées dans le but de dissiper de la chaleur provenant de l'amplificateur (12) de puissance. Le filtre passe-bande (13) est formé dans le substrat stratifié (11) et est relié à l'amplificateur (12) de puissance. La traversée thermique (92) est utilisée comme un inducteur qui constitue le filtre passe-bande (13). Le filtre passe-bande (13) chevauche l'amplificateur (12) de puissance lorsqu'ils sont vus dans la direction de stratification du substrat stratifié (11).
(JA) 高周波モジュール(1)は、積層基板(11)とパワーアンプ(12)とサーマルビア(91,92)とバンドパスフィルタ(13)とを備える。パワーアンプ(12)は、積層基板(11)上に実装される。サーマルビア(91,92)は、パワーアンプ(12)の直下の積層基板(11)内に形成され、パワーアンプ(12)の放熱に使用される。バンドパスフィルタ(13)は、積層基板(11)内に形成され、パワーアンプ(12)と接続される。サーマルビア(92)は、バンドパスフィルタ(13)を構成するインダクタとして使用される。バンドパスフィルタ(13)は、積層基板(11)の積層方向から見て、パワーアンプ(12)と重なる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)