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1. (WO2014061212) PROCÉDÉ D'ALIMENTATION EN GAZ DE SOURCE POUR PRODUIRE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN ET SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061212    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/005802
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 30.09.2013
CIB :
C01B 33/035 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : KUROSAWA, Yasushi; (JP).
NETSU, Shigeyoshi; (JP)
Mandataire : OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Marunouchi Kitaguchi Building 21F, 6-5, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-228643 16.10.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR SUPPLYING SOURCE GAS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON AND POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ D'ALIMENTATION EN GAZ DE SOURCE POUR PRODUIRE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN ET SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコン製造用原料ガスの供給方法および多結晶シリコン
Abrégé : front page image
(EN)This method controls the rate of occurrence of popcorn by adjusting the kinetic energy of a source gas (flow velocity and supply rate of the source gas at a source gas supply nozzle jet outlet) which is supplied to a reactor for producing polycrystalline silicon by the Siemens method. Specifically, in performing a deposition reaction of polycrystalline silicon at a reaction pressure of 0.25-0.9 MPa, when the flow velocity of the source gas at a gas supply port of a source gas supply nozzle (9) is u (m/sec), the source gas supply rate is Q (kg/sec) and the internal volume of the reactor (100) is V (m3), the values of u and Q of each of the source gas supply nozzles (9) are set so that the total Σ (Q×u2/V) of the value Q×u2/V is 2500 (kg/m•sec3) or more.
(FR)Ce procédé contrôle le taux de survenue de popcorn par ajustement de l'énergie cinétique d'un gaz de source (vitesse d'écoulement et vitesse d'introduction du gaz de source dans un orifice de sortie du jet de buse d'alimentation en gaz de source) qui est introduit dans un réacteur pour produire du silicium polycristallin par le procédé Siemens. De façon spécifique, dans la réalisation d'une réaction de dépôt de silicium polycristallin à une pression de réaction de 0,25-0,9 MPa, lorsque la vitesse d'écoulement du gaz de source à un orifice d'alimentation en gaz d'une buse d'alimentation en gaz de source (9) est u (m/sec), la vitesse d'alimentation en gaz de source est Q (kg/sec) et le volume interne du réacteur (100) est V (m3), les valeurs de u et Q de chacune des buses d'alimentation en gaz de source (9) sont réglées de telle sorte que le total Σ (Q × u2/V) de la valeur Q × u2/V est 2500 (kg/m•sec3) ou plus.
(JA) 本発明に係る方法では、シーメンス法により多結晶シリコンを製造するための反応炉に供給する原料ガスの運動エネルギ(原料ガス供給ノズル噴出口における原料ガスの流速および供給量)を調整することにより、ポップコーンの発生率を制御する。具体的には、0.25MPa~0.9MPaの反応圧力下で多結晶シリコンの析出反応を行う際に、原料ガス供給ノズル(9)のガス供給口における原料ガスの流速をu(m/sec)、原料ガス供給量をQ(kg/sec)、反応炉(100)の内容積をV(m)としたときの値Q×u/Vの合計Σ(Q×u/V)が2500(kg/m・sec)以上となるように原料ガス供給ノズル(9)のそれぞれのuおよびQの値を設定する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)