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1. (WO2014061196) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE SOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061196    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/005396
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 12.09.2013
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), C30B 31/22 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : QU, Wei Feng; (JP).
TAHARA, Fumio; (JP).
OOI, Yuuki; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-229111 16.10.2012 JP
Titre (EN) SOI WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE SOI
(JA) SOIウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This SOI wafer manufacturing method is characterized in performing, prior to an oxide film forming step: a step for performing heat treatment under an oxidizing atmosphere at a temperature of 1,100-1,250 °C for 30-120 minutes with respect to a silicon wafer that has been prepared; and a step for polishing, after the heat treatment, a silicon wafer surface to be a bonding surface. Consequently, provided is the SOI wafer manufacturing method whereby SOI wafers having almost no failure, i.e., a defect or the like, can be manufactured by sufficiently eliminating defects of bond wafers in SOI wafer manufacture, and furthermore, peeled wafers generated as a by-product in an ion implantation peeling method can be reused many times as the bond wafers.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de tranche SOI qui est caractérisé par la réalisation, avant une étape de formation de film d'oxyde : d'une étape de réalisation d'un traitement thermique sous une atmosphère oxydante à une température de 1100 à 1250 °C pour 30 à 120 minutes sur une tranche de silicium qui a été préparée ; et d'une étape de polissage, après le traitement thermique, d'une surface de tranche de silicium destinée à être une surface de liaison. Par conséquent, l'invention concerne le procédé de fabrication de tranche SOI par lequel des tranches SOI ayant presque aucune défaillance, c'est-à-dire, un défaut ou analogue, peuvent être fabriquées par élimination de manière suffisante de défauts de tranches de liaison dans la fabrication de tranche SOI, et en outre, des tranches décollées générées en tant que sous-produit dans un procédé de décollement par implantation d'ions peuvent être réutilisées de nombreuses fois en tant que tranches de liaison.
(JA) 本発明は、SOIウェーハを製造する方法であって、酸化膜形成工程の前に、準備したシリコンウェーハに酸化性雰囲気下で1100℃~1250℃の温度で30分~120分間の熱処理を施す工程、及び該熱処理後のシリコンウェーハの貼り合わせ面となる表面を研磨する工程を行うことを特徴とするSOIウェーハの製造方法である。これにより、SOIウェーハの製造において、ボンドウェーハの欠陥を十分に消滅させて、欠陥等の不良のほとんどないSOIウェーハを製造することができ、また、イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハをボンドウェーハとして何度も再利用することができるSOIウェーハの製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)