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1. (WO2014061188) ELÉMENT ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061188    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/005169
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 02.09.2013
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), G02B 5/20 (2006.01), G02B 5/22 (2006.01), G02B 5/26 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : IWASAKI, Masanori; (JP).
KIMURA, Nozomi; (JP).
NATORI, Taichi; (JP).
OZAWA, Ken; (JP).
MATSUZAWA, Nobuyuki; (JP).
HOBARA, Daisuke; (JP)
Mandataire : OMORI, Junichi; 2nd Floor U&M Akasaka Bldg., 7-5-47 Akasaka, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-230325 17.10.2012 JP
Titre (EN) IMAGE-CAPTURING ELEMENT AND IMAGE-CAPTURING DEVICE
(FR) ELÉMENT ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 撮像素子及び撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide an image-capturing element and an image-capturing device allowing an image-capturing optical system to be made thinner without compromising image-capturing performance. [Solution] This image-capturing element is provided with an on-chip lens, a low-refractive index layer, and an infrared absorption layer. The on-chip lens comprises a high-refractive-index material. The low-refractive index layer is formed flat over the on-chip lens and comprises a low-refractive-index material. The infrared absorption layer is stacked above the low-refractive index layer and comprises an infrared absorption material.
(FR)L'invention concerne un élément et un dispositif de capture d'image, qui permettent de fabriquer un système optique de capture d'image plus fin sans compromettre l'efficacité de capture d'image. Pour ce faire, l'élément de capture d'image est pourvu d'une lentille réalisée sur la puce, d'une couche à faible indice de réfraction et d'une couche absorbant le rayonnement infrarouge. La lentille réalisée sur la puce comprend une matière à indice de réfraction élevé. La couche à faible indice de réfraction est formée à plat sur la lentille réalisée sur la puce, et comprend une matière à faible indice de réfraction. La couche absorbant le rayonnement infrarouge est empilée sur la couche à faible indice de réfraction, et comprend une matière absorbant le rayonnement infrarouge.
(JA)【課題】撮像性能を低下させることなく、撮像光学系の薄型化が可能な撮像素子及び撮像装置を提供すること 【解決手段】本技術に係る撮像素子は、オンチップレンズと、低屈折率層と、赤外吸収層とを具備する。オンチップレンズは、高屈折率材料からなる。低屈折率層は、オンチップレンズ上に平坦に形成され、低屈折率材料からなる。赤外吸収層は、低屈折率層よりも上層に積層され、赤外吸収材料からなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)