WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014061174) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061174    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/002544
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.04.2013
CIB :
H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : TAKAYAMA, Toru;
Mandataire : MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F, 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-231383 19.10.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor light emitting element is provided with: a substrate (11) formed of GaN; a first cladding layer (12) that is provided above the substrate (11); a quantum well active layer (13) that is provided above the first cladding layer (12); a second cladding layer (14) that is provided above the quantum well active layer (13); and a first refractive index correction layer (15) that is provided between the substrate (11) and the first cladding layer (12). The first refractive index correction layer includes an In1-x-yAlyGaxN (x+y<1) layer, where x and y satisfy the relational expression of: x/1.05+y/0.69>1, x/1.13+y/0.49>1 or x/1.54+y/0.24>1; and x/0.91+y/0.75≥1 and x/1.08+y/0.91≤1.
(FR)La présente invention a trait à un élément électroluminescent semi-conducteur qui est équipé : d'un substrat (11) qui est constitué de GaN; d'une première couche de gaine (12) qui est prévue au-dessus du substrat (11); d'une couche active de puits quantique (13) qui est prévue au-dessus de la première couche de gaine (12); d'une seconde couche de gaine (14) qui est prévue au-dessus de la couche active de puits quantique (13); et d'une première couche de correction d'indice de réfraction (15) qui est prévue entre le substrat (11) et la première couche de gaine (12). La première couche de correction d'indice de réfraction inclut une couche de In1-x-yAlyGaxN (x + y < 1), où x et y satisfont l'expression de relation suivante : x/1,05 + y/0,69 > 1, x/1,13 + y/0,49 > 1 ou x/1,54 + y/0,24 > 1; et x/0,91 + y/0,75 ≥ 1 et x/1,08 + y/0,91 ≤ 1.
(JA) 半導体発光素子は、GaNからなる基板11と、基板11の上方に設けられた第1クラッド層12と、第1クラッド層12の上方に設けられた量子井戸活性層13と、量子井戸活性層13の上方に設けられた第2クラッド層14と、基板11と第1クラッド層12との間に設けられた第1屈折率補正層15とを備えている。第1屈折率補正層は、In1-x-yAlyGaxN(x+y<1)層を含み、x及びyは、x/1.05+y/0.69>1、x/1.13+y/0.49>1、又はx/1.54+y/0.24>1と、x/0.91+y/0.75≧1及びx/1.08+y/0.91≦1との関係式を満たす。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)