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1. (WO2014061075) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061075    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076599
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2012
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
KUROKAWA Yuto [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : KUROKAWA Yuto; (JP)
Mandataire : KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device disclosed in the present description is provided with a semiconductor substrate, and a plurality of trench gates, which extend in the first direction, and which are disposed in the second direction at intervals, said second direction being orthogonal to the first direction. Each of the trench gates has: a first portion opened in the front surface of the semiconductor substrate; a second portion that is extending in the direction tilted to the positive direction of the second direction with respect to the depth direction of the semiconductor substrate, said second portion extending from the first portion; and a third portion that is extending in the direction tilted to the negative direction of the second direction with respect to the depth direction of the semiconductor substrate, said third portion extending from the first portion.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui est équipé d'un substrat semi-conducteur et d'une pluralité de grilles de tranchée, qui s'étendent dans la première direction et qui sont disposées dans la seconde direction à intervalles les unes des autres, ladite seconde direction étant orthogonale à la première direction. Chacune des grilles de tranchée est dotée : d'une première partie qui est ouverte dans la surface avant du substrat semi-conducteur ; d'une deuxième partie qui s'étend dans la direction inclinée vers la direction positive de la seconde direction par rapport à la direction de la profondeur du substrat semi-conducteur, ladite deuxième partie s'étendant à partir de la première partie ; et d'une troisième partie qui s'étend dans la direction inclinée vers la direction négative de la seconde direction par rapport à la direction de la profondeur du substrat semi-conducteur, ladite troisième partie s'étendant à partir de la première partie.
(JA) 本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、第1方向に伸びるとともに、第1方向に直交する第2方向に間隔を空けて配置された複数のトレンチゲートとを備えている。複数のトレンチゲートは、半導体基板の表面に開口する第1部分と、第1部分から半導体基板の深さ方向に対して第2方向の正方向に傾斜する方向に伸びる第2部分と、第1部分から半導体基板の深さ方向に対して第2方向の負方向に傾斜する方向に伸びる第3部分とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)