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1. (WO2014061051) DIODE À BARRIÈRE DE SCHOTTKY ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE DANS LEQUEL ELLE EST EMPLOYÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/061051    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/006575
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2012
CIB :
H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (Tous Sauf US).
OISHI, Toshiyuki [--/JP]; (JP) (US only).
OTSUKA, Hiroshi [--/JP]; (JP) (US only).
YAMANAKA, Koji [--/JP]; (JP) (US only).
TANAKA, Toshiyuki [--/JP]; (JP) (US only).
TURU, Masaomi [--/JP]; (JP) (US only).
TANIGUCHI, Eiji [--/JP]; (JP) (US only).
KAMO, Yoshitaka [--/JP]; (JP) (US only).
HOMMA, Yukihiro [--/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : OISHI, Toshiyuki; (JP).
OTSUKA, Hiroshi; (JP).
YAMANAKA, Koji; (JP).
TANAKA, Toshiyuki; (JP).
TURU, Masaomi; (JP).
TANIGUCHI, Eiji; (JP).
KAMO, Yoshitaka; (JP).
HOMMA, Yukihiro; (JP)
Mandataire : TAKAHASHI, Shogo; c/o Mitsubishi Electric Corporation Corporate Intellectual Property Division, 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SCHOTTKY BARRIER DIODE AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME
(FR) DIODE À BARRIÈRE DE SCHOTTKY ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE DANS LEQUEL ELLE EST EMPLOYÉE
(JA) ショットキーバリアダイオードおよびそれを用いた電子装置
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the invention is to provide a Schottky barrier diode with improved efficiency and an electronic device using the Schottky barrier diode as a rectifying element. A Schottky barrier diode according to the invention includes a III-V compound semiconductor layer formed on one main surface of a substrate, an anode electrode in which a contact part with the III-V compound semiconductor layer is a Schottky contact, and a cathode electrode in which a contact part with the III-V compound semiconductor layer is an ohmic contact. The III-V compound semiconductor layer includes a first semiconductor layer, and a second semiconductor layer that is formed on the first semiconductor layer in an area between the contact part where the Schottky contact is formed and the contact part where the ohmic contact is formed and that has a wider band gap than the first semiconductor layer. A two-dimensional electronic gas is generated at the hetero junction interface between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer in the area between the contact part where the Schottky contact is formed and the contact part where the ohmic contact is formed.
(FR)L'invention concerne une diode à barrière de Schottky ayant un rendement amélioré et un dispositif électronique dans lequel la diode à barrière de Schottky est employée comme élément redresseur. Une diode à barrière de Schottky selon l'invention comprend une couche à semi-conducteur composite III-V formée sur une surface principale d'un substrat, une anode dans laquelle une partie de contact avec la couche à semi-conducteur composite III-V est un contact de Schottky et une cathode dans laquelle une partie de contact avec la couche à semi-conducteur composite III-V est un contact ohmique. La couche à semi-conducteur composite III-V comprend une première couche semi-conductrice, et une deuxième couche semi-conductrice qui est formée sur la première couche semi-conductrice dans une zone entre la partie de contact où le contact de Schottky est formé et la partie de contact où le contact ohmique est formé et qui a une bande interdite plus large que celle de la première couche semi-conductrice. Un gaz électronique bidimensionnel est produit au niveau de l'interface d'hétéro-jonction entre la première couche semi-conductrice et la deuxième couche semi-conductrice dans la zone entre la partie de contact où le contact de Schottky est formé et la partie de contact où le contact ohmique est formé.
(JA) 本発明は、効率が向上したショットキーバリアダイオード及びそれを整流素子として用いた電子装置を得ることを目的とする。本発明のショットキーバリアダイオードは、基板の一主面上に形成されたIII-V族化合物半導体層と、III-V族化合物半導体層との接触部がショットキー接触となるアノード電極と、III-V族化合物半導体層との接触部がオーミック接触となるカソード電極とを有する。III-V族化合物半導体層は、第1の半導体層と、ショットキー接触が形成された接触部とオーミック接触が形成された接触部との間の領域の第1の半導体層上に形成された、第1の半導体層より広いバンドギャップの第2の半導体層と、を備え、ショットキー接触が形成された接触部とオーミック接触が形成された接触部との間の領域の、第1の半導体層と第2の半導体層とのヘテロ接合界面に、2次元電子ガスが生成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)