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1. (WO2014060536) HÉTÉROSTRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/060536    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/071763
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 17.10.2013
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01)
Déposants : BROLIS SEMICONDUCTORS LTD. [LT/LT]; Moletu pl. 73 LT-14259 Vilnius (LT)
Inventeurs : VIZBARAS, Kristijonas; (LT).
VIZBARAS, Augustinas; (LT)
Mandataire : ZIMMERMANN & PARTNER; Josephspitalstr. 15 80331 München (DE)
Données relatives à la priorité :
12188884.6 17.10.2012 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF
(FR) HÉTÉROSTRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)A III-V compound semiconductor heterostructure grown on a substrate is described. The heterostructure includes a first semiconductor layer, wherein the first layer semiconductor layer is a compound semiconductor layer with (III) (V), wherein (III) represents one or more group-III elements and (V) represents one or more group-V elements, an intermediate layer on the first semiconductor layer, wherein the intermediate layer is a compound semiconductor layer with (III)x>1(V)2-x, and wherein the intermediate layer has a thickness of 10 monolayers or below, and a second semiconductor layer, wherein the first layer semiconductor layer is a compound semiconductor layer with (III)1(V)1
(FR)L'invention comprend une hétérostructure semi-conductrice de composé III-V produite par tirage sur un substrat. L'hétérostructure comprend une première couche semi-conductrice, la première couche semi-conductrice étant une couche semi-conductrice composée avec du (III) et du (V), (III) représentant un ou plusieurs éléments du groupe III et (V) représentant un ou plusieurs éléments du groupe V, une couche intermédiaire sur la première couche semi-conductrice, la couche intermédiaire étant une couche semi-conductrice composée avec du (III)x>1(V)2-x, la couche intermédiaire ayant une épaisseur inférieure ou égale à 10 monocouches, et une deuxième couche semi-conductrice, la première couche de couche semi-conductrice étant une couche semi-conductrice composée avec du (III)1(V)1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)