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1. (WO2014060535) PROCÉDÉ, POUDRE, FILM & BATTERIE LITHIUM-ION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/060535    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/071761
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 17.10.2013
CIB :
C09C 1/28 (2006.01), C01B 33/029 (2006.01), H01M 4/134 (2010.01)
Déposants : INSTITUTT FOR ENERGITEKNIKK [NO/NO]; Instituttv. 18 N-2007 Kjeller (NO)
Inventeurs : KIRKENGEN, Martin; (NO)
Mandataire : VALEA AB; Box 1098 S-405 23 Göteborg (SE)
Données relatives à la priorité :
20121230 17.10.2012 NO
Titre (EN) METHOD, POWDER, FILM & LITHIUM ION BATTERY
(FR) PROCÉDÉ, POUDRE, FILM & BATTERIE LITHIUM-ION
Abrégé : front page image
(EN)Method for producing a powder of particles comprising a core region (26) and a shell region (28), said core region (26) comprising amorphous or microcrystalline Silicon and said core region (26) comprising a passivating material. The method comprises the steps of supplying a reactant gas (12) containing Silicon to a reaction chamber (16) of a reactor, and heating said reactant gas (12) to a temperature sufficient for thermal decomposition or reduction of the reactant gas (12) to take place inside the reaction chamber (16) to thereby produce nano- to micro-scale particles of amorphous or microcrystalline Silicon, and thereafter coating said particles with passivating material.
(FR)Cette invention a trait à un procédé de production d'une poudre constituée de particules comprenant une région de cœur (26) et une région de coque (28), ladite région de cœur (26) comprenant du silicium amorphe ou microcristallin et ladite région de cœur (26) comprenant un matériau de passivation. Le procédé comprend les étapes consistant à introduire un gaz réactif (12) contenant du silicium dans la chambre de réaction (16) d'un réacteur, et à chauffer ledit gaz réactif (12) jusqu'à une température suffisante pour la décomposition thermique ou la réduction du gaz réactif (12) pour produire ainsi des particules à l'échelle nanométrique à micrométrique constituée de silicium amorphe ou microcristallin, puis à revêtir lesdites particules avec un matériau de passivation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)