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1. (WO2014059920) CELLULE DE PIXEL, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET CAPTEUR D'IMAGE LA COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/059920    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/085252
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
H01L 27/148 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : BYD COMPANY LIMITED [CN/CN]; No. 3009 BYD Road, Pingshan Shenzhen, Guangdong 518118 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Caiting; (CN).
LIU, Kun; (CN).
FU, Jingjun; (CN).
HU, Wenge; (CN)
Mandataire : TSINGYIHUA INTELLECTUAL PROPERTY LLC; Room 301 Trade Building, Zhaolanyuan Tsinghua University, Qinghuayuan, Haidian District Beijing 100084 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210401338.9 19.10.2012 CN
201310251026.9 24.06.2013 CN
Titre (EN) PIXEL CELL, METHOD FOR MANIFACTURING THE SAME AND IMAGE SENSOR COMPRISING THE SAME
(FR) CELLULE DE PIXEL, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET CAPTEUR D'IMAGE LA COMPRENANT
Abrégé : front page image
(EN)A pixel cell, a method for manufacturing the same and an image sensor comprising the same are provided. The pixel cell comprises: a substrate (101); a photodiode (103), a pass transistor (107) and a floating diffusion structure (104) respectively formed on the substrate (101), in which the pass transistor (107) is formed between the photodiode (103) and the floating diffusion structure (104); and a PINNED structure (105), formed on the substrate (101) and connected with the floating diffusion structure (104), in which a reset voltage of the floating diffusion structure (104) is higher than a depletion voltage of the PINNED structure (105).
(FR)La présente invention porte sur une cellule de pixel, son procédé fabrication et un capteur d'image la comprenant. La cellule de pixel comprend : un substrat (101) ; une photodiode (103), un transistor de chute (107) et une structure de diffusion flottante (104) respectivement formés sur le substrat (101), le transistor de chute (107) étant formé entre la photodiode (103) et la structure de diffusion flottante (104) ; et une structure BROCHEE (105), formée sur le substrat (101) et connectée à la structure de diffusion flottante (104), dans laquelle une tension de réinitialisation de la structure de diffusion flottante (104) est supérieure à une tension de déplétion de la structure BROCHEE (105).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)