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1. (WO2014059833) CAPTEUR DE PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/059833    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/082640
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 30.08.2013
CIB :
G01L 1/18 (2006.01), G01L 9/06 (2006.01)
Déposants : CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road, Wuxi New District Wuxi, Jiangsu 214028 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Xinwei; (CN).
XIA, Changfeng; (CN).
LI, Xiang; (CN).
SU, Wei; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA I.P.LAW OFFICE; Room 3901, No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210395744.9 18.10.2012 CN
Titre (EN) PRESSURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION
(ZH) 一种压力传感器
Abrégé : front page image
(EN)A pressure sensor, comprising: a silicon cup (20), a voltage dependent resistor (30), an insulation layer (40) and a metal film (50). The silicon cup (20) comprises a pressure-sensing film (202) located on the upper part of the silicon cup (20) and a bracket (201) located at the side edge of the silicon cup (20). The voltage dependent resistor (30) is located within the boundary of the pressure-sensing film (202) of the silicon cup (20). The insulation layer (40) covers the upper surface of the silicon cup (20). The metal film (50) is located above the pressure-sensing film (202). Using the characteristic of thermal expansion and cold contraction of metal, the metal film (50) is placed above the pressure-sensing film (202), when the metal film (50) becomes elongated while temperature rises, the pressure-sensing film (202) on the silicon cup (20) is forced to generate larger deformation so as to offset or reduce the defect that an output signal of the sensor is reduced because of the rise of the usage temperature.
(FR)La présente invention porte sur un capteur de pression, comprenant : une coupe de silicium (20), une résistance dépendant de la tension (30), une couche d'isolation (40) et un film métallique (50). La coupe de silicium (20) comprend un film de détection de pression (202) situé sur la partie supérieure de la coupe de silicium (20) et un support (201) situé au niveau du bord latéral de la coupe de silicium (20). La résistance dépendant de la tension (30) est située à l'intérieur de la limite du film de détection de pression (202) de la coupe de silicium (20). La couche d'isolation (40) recouvre la surface supérieure de la coupe de silicium (20). Le film métallique (50) est situé au-dessus du film de détection de pression (202). A l'aide de la caractéristique de dilatation thermique et de contraction à froid d'un métal, le film métallique (50) est placé au-dessus du film de détection de pression (202), lorsque le film métallique (50) devient allongé alors que la température s'élève, le film de détection de pression (202) sur la coupe de silicium (20) est forcé à générer une déformation plus grande de manière à contrebalancer ou réduire le défaut selon lequel un signal de sortie du capteur est réduit du fait de l'élévation de la température d'utilisation.
(ZH)一种压力传感器,包括硅杯(20)、压敏电阻(30)、绝缘层(40)和金属膜(50)。硅杯(20)包括位于硅杯(20)上部的感压膜(202)和位于硅杯(20)侧边的支撑架(201)。压敏电阻(30)位于硅杯(20)的感压膜(202)边界内。绝缘层(40)覆盖于硅杯(20)上表面。金属膜(50)位于感压膜(202)上方。利用金属具有热胀冷缩的特性,在感压膜(202)上方放置金属膜(50),通过金属膜(50)在温度升高时变长,迫使硅杯(20)上感压膜(202)发生更大变形来抵消或减少因使用温度升高使传感器输出信号减小的缺陷。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)