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1. (WO2014059733) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE AYANT DE L'OXYDE DE BÉRYLLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/059733    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086875
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 18.12.2012
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01)
Déposants : TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; Qinghuayuan, Haidian District Beijing 100084 (CN)
Inventeurs : WANG, Jing; (CN).
LIANG, Renrong; (CN).
GUO, Lei; (CN).
XU, Jun; (CN)
Mandataire : TSINGYIHUA INTELLECTUAL PROPERTY LLC; Room 301 Trade Building, Zhaolanyuan Tsinghua University, Qinghuayuan, Haidian District Beijing 100084 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210401590.X 19.10.2012 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING BERYLLIUM OXIDE
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE AYANT DE L'OXYDE DE BÉRYLLIUM
(ZH) 具有氧化铍的半导体结构
Abrégé : front page image
(EN)Provided in the present invention is a semiconductor structure having beryllium oxide, comprising: a semiconductor substrate (100), and, formed on the semiconductor substrate (100) and alternately staggered, multiple insulating oxide layers (201, 202, …20x) and multiple monocrystalline semiconductor layers (301, 302, …30x), where the material of the insulating oxide layer (201) in contact with the semiconductor substrate (100) is either one or a combination of many among beryllium oxide, silicon dioxide, and silicon oxynitride, and the material of the remaining insulating oxide layers (202, …20x) is monocrystalline beryllium oxide.
(FR)La présente invention concerne une structure semi-conductrice ayant de l'oxyde de béryllium, comprenant : un substrat semi-conducteur (100), et, formées sur le substrat semi-conducteur (100) et échelonnées de manière alternée, de multiples couches d'oxyde isolantes (201, 202, …20x) et de multiples couches semi-conductrices monocristallines (301, 302, …30x), le matériau de la couche d'oxyde isolante (201) en contact avec le substrat semi-conducteur (100) étant l'un parmi l'oxyde de béryllium, le dioxyde de silicium, et l'oxynitrure de silicium ou l'une de leurs combinaisons, et le matériau des couches d'oxyde isolantes (202, …20x) restantes étant de l'oxyde de béryllium monocristallin.
(ZH)本发明提出一种具有氧化铍的半导体结构,包括:半导体衬底(100);和形成在半导体衬底(100)上的交替堆叠的多层绝缘氧化物层(201,202......20x)和多层单晶半导体层(301,302......30x),其中,与半导体衬底(100)接触的绝缘氧化物层(201)的材料为氧化铍、二氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种的组合,其余的绝缘氧化物层(202......20x)的材料为单晶氧化铍。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)