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1. (WO2014059562) MÉTHODE DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/059562    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/001535
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 13.11.2012
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : YIN, Haizhou; (US).
ZHAO, Zhiguo; (CN)
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre, 23 Harbour Road Wanchai, Hong Kong 100011 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210393669.2 16.10.2012 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) MÉTHODE DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体器件制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method, comprising: forming a single-crystal etching stop layer (2) and a single-crystal dummy gate layer (3) on a substrate (1); forming a dummy gate pattern (3P) by wet etching the dummy gate layer (3); forming gate sidewall (4) around the dummy gate pattern (3P); wet etching to remove the dummy gate pattern (3P), remain a gate trench (3T); forming a gate stack in the gate trench (3T). Using a epitaxial single-crystal thin film as a dummy gate and the etching stop layer during wet etching the dummy gate, can promote the verticality of the gate section, also can prevent the erosion in the corner of the bottom of the substrate, and effectively improving the performance and the reliability of the device.
(FR)L'invention concerne une méthode de fabrication de dispositif semi-conducteur consistant à : former une couche d'arrêt de gravure monocristalline (2) et une couche de grille factice monocristalline (3) sur un substrat (1) ; former un motif de grille factice (3P) par gravure humide de la couche de grille factice (3) ; former une paroi latérale de grille (4) autour du motif de grille factice (3P) ; effectuer la gravure humide pour enlever le motif de grille factice (3P), il reste une tranchée de grille (3T) ; former un empilement de grille dans la tranchée de grille (3T). L'utilisation d'un film fin monocristallin épitaxial comme grille factice et de la couche d'arrêt de gravure lors de la gravure humide de la grille factice peut favoriser la verticalité de la section de grille, et peut aussi éviter l'érosion dans le coin du fond du substrat, et améliorer efficacement la performance et la fiabilité du dispositif.
(ZH)一种半导体器件制造方法,包括:在衬底(1)上形成单晶刻蚀停止层(2)和单晶假栅极层(3);湿法腐蚀假栅极层(3),形成假栅极图形(3P);在假栅极图形(3P)周围形成栅极侧墙(4);湿法腐蚀去除假栅极图形(3P),留下栅极沟槽(3T);在栅极沟槽(3T)中形成栅极堆叠。利用外延单晶薄膜作为假栅极以及湿法刻蚀假栅极的停止层,在提高栅极剖面形态的垂直度的同时,还能避免底部拐角衬底侵蚀,有效提高器件的性能和可靠性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)