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1. (WO2014046238) DISPOSITIF DE COMMANDE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2014/046238 N° de la demande internationale : PCT/JP2013/075468
Date de publication : 27.03.2014 Date de dépôt international : 20.09.2013
CIB :
H03K 17/08 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
Déposants :
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
小石 歩生 KOISHI, Ayuki [JP/JP]; JP (US)
長内 洋介 OSANAI, Yosuke [JP/JP]; JP (US)
Inventeurs :
小石 歩生 KOISHI, Ayuki; JP
長内 洋介 OSANAI, Yosuke; JP
Mandataire :
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; 東京都千代田区丸の内二丁目1番1号 丸の内 MY PLAZA (明治安田生命ビル) 16階 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité :
2012-20998524.09.2012JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DRIVING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMANDE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体駆動装置
Abrégé :
(EN) Provided is a semiconductor driving device that includes: a first control means that, when an overcurrent running between a first principal electrode and a second principal electrode of a switching element is detected, electrically connects a gate of the switching element and a predetermined reference potential so as to decrease a control voltage applied across the gate and the first principal electrode, thereby turning off the switching element; a detection means that detects a current that is generated when a feedback capacitor between the gate and the second principal electrode is charged or discharged; and a second control means that decreases a resistance value between the gate and the reference potential when the overcurrent and the current generated upon the charging or discharging of the feedback capacitor are detected.
(FR) L'invention concerne un dispositif de commande semi-conducteur qui comprend : un premier moyen de régulation qui, quand un courant excessif circulant entre une première électrode principale et une seconde électrode principale d'élément commutateur est détecté, connecte électriquement une grille de l'élément commutateur et un potentiel de référence préétabli de manière à décroître une tension de régulation appliquée à travers la grille et la première électrode principale, désactivant ainsi l'élément commutateur ; un moyen de détection qui détecte un courant qui est généré quand un condensateur de retour entre la grille et la seconde électrode principale est chargé ou déchargé ; et un second moyen de régulation qui réduit une valeur de résistance entre la grille et le potentiel de référence quand le courant excessif et le courant généré lors de la charge ou de la décharge du condensateur de retour sont détectés.
(JA)  スイッチング素子の第1の主電極と第2の主電極との間に流れる過電流が検出されたとき、前記スイッチング素子のゲートと所定の基準電位との間を導通させて前記ゲートと前記第1の主電極との間に印加される制御電圧を低下させ、前記スイッチング素子をオフさせる第1の制御手段と、前記ゲートと前記第2の主電極との間の帰還容量の充電又は放電に伴い生ずる電流を検出する検出手段と、前記過電流及び前記帰還容量の充電又は放電に伴い生ずる電流が検出されたとき、前記ゲートと前記基準電位との間の抵抗値を低くする第2の制御手段とを備える、半導体駆動装置。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)