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1. WO2014039261 - INJECTEUR DE GAZ POUR SYSTÈME À FAIBLE COÛT, GRAND VOLUME POUR DÉPÔT DE SILICIUM ÉPITAXIAL

Numéro de publication WO/2014/039261
Date de publication 13.03.2014
N° de la demande internationale PCT/US2013/055998
Date du dépôt international 21.08.2013
CIB
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
H01L 31/18 (2006.01)
H01L 31/042 (2014.01)
CPC
B05B 1/005
C30B 25/08
C30B 25/14
C30B 29/06
E05F 1/00
H01L 21/67017
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs
  • CARLSON, David K.; US
  • RICE, Michael R.; US
  • SHAH, Kartik B.; US
  • MAQSOOD, Kashif; US
  • NARWANKAR, Pravin K.; US
Mandataires
  • LINARDAKIS, Leonard P.; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, New Jersey 07702, US
Données relatives à la priorité
13/721,32320.12.2012US
61/696,77804.09.2012US
61/711,49309.10.2012US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GAS INJECTOR FOR HIGH VOLUME, LOW COST SYSTEM FOR EPITAXIAL SILICON DEPOSITION
(FR) INJECTEUR DE GAZ POUR SYSTÈME À FAIBLE COÛT, GRAND VOLUME POUR DÉPÔT DE SILICIUM ÉPITAXIAL
Abrégé
(EN)
Apparatus for use in a substrate processing chamber are provided herein. In some embodiments, a gas injector for use in a process chamber may include first set of gas orifices configured to provide a jet flow of a first process gas into the process chamber, and a second set of gas orifices configured to provide a laminar flow of a second process gas into the process chamber, wherein the first set of gas orifices are disposed between at least two gas orifices of the second set of gas orifices.
(FR)
La présente invention porte sur un appareil pour une utilisation dans une chambre de traitement de substrat. Selon certains modes de réalisation, un injecteur de gaz pour une utilisation dans une chambre de traitement peut comprendre un premier ensemble d'orifices de gaz configurés pour fournir un flux de jet d'un premier gaz de traitement dans la chambre de traitement, et un second ensemble d'orifices de gaz configurés pour fournir un flux laminaire d'un second gaz de traitement dans la chambre de traitement, le premier ensemble d'orifices de gaz étant disposés entre au moins deux orifices de gaz du second ensemble d'orifices de gaz.
Également publié en tant que
JP2015600076
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