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1. (WO2014031772) PROCESSUS DE FORMATION DE MOTIF PAR MASQUE INTÉGRÉ POUR FABRICATION DE SUPPORT MAGNÉTIQUE ET D'AUTRES STRUCTURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/031772    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/056031
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 21.08.2013
CIB :
G11B 5/855 (2006.01)
Déposants : REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MINNESOTA [US/US]; 1000 Westgate Drive Suite 160 St. Paul, Minnesota 55114-8658 (US)
Inventeurs : WANG, Jian-Ping; (US).
WANG, Hao; (US).
ZHAO, Haibao; (US)
Mandataire : WILFORD, Jeffrey D.; Shumaker & Sieffert, P.A. 1625 Radio Drive, Suite 300 Woodbury, Minnesota 55125 (US)
Données relatives à la priorité :
61/691,681 21.08.2012 US
Titre (EN) EMBEDDED MASK PATTERNING PROCESS FOR FABRICATING MAGNETIC MEDIA AND OTHER STRUCTURES
(FR) PROCESSUS DE FORMATION DE MOTIF PAR MASQUE INTÉGRÉ POUR FABRICATION DE SUPPORT MAGNÉTIQUE ET D'AUTRES STRUCTURES
Abrégé : front page image
(EN)In some examples, a method comprising depositing a functional layer (e.g., a magnetic layer) over a substrate; depositing a granular layer over the functional layer, the granular layer including a first material defining a plurality of grains separated by a second material defining grain boundaries of the plurality of grains; removing the second material from the granular layer such that the plurality of grains of the granular layer define a hard mask layer on the functional layer; and removing portions of the functional layer not masked by the hard mask layer, wherein the depositing of the functional layer, the depositing of the granular layer, removing the second material, and removing the portions of the functional layer are performed in a vacuum environment.
(FR)L'invention concerne, selon certains exemples, un procédé comportant le dépôt d'une couche fonctionnelle (par exemple une couche magnétique) sur un substrat; le dépôt d'une couche granulaire sur la couche fonctionnelle, la couche granulaire comprenant un premier matériau définissant une pluralité de grains séparés par un second matériau définissant des joints de grain de la pluralité de grains; l'élimination du second matériau de la couche granulaire de telle sorte que la pluralité de grains de la couche granulaire définit une couche de masque dur sur la couche fonctionnelle; l'élimination de parties de la couche fonctionnelle qui ne sont pas masquées par la couche de masque dur, le dépôt de la couche fonctionnelle, le dépôt de la couche granulaire, l'élimination du second matériau et l'élimination des parties de la couche fonctionnelle étant effectués dans un environnement sous vide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)