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1. (WO2014031527) CAPTEUR MEMS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE DISPOSITIF CAPTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/031527    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/055553
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 19.08.2013
CIB :
G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart (DE).
FEYH, Ando [DE/US]; (US)
Inventeurs : FEYH, Ando; (US)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP One Indiana Square, Suite 2200 Indianapolis, IN 46204 (US)
Données relatives à la priorité :
61/691,157 20.08.2012 US
Titre (EN) MEMS SENSOR AND METHOD OF FORMING A SENSOR DEVICE
(FR) CAPTEUR MEMS ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE DISPOSITIF CAPTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A system and method for forming a sensor device includes defining an in-plane electrode in a device layer of a silicon on insulator (SOI) wafer, forming an out-of-plane electrode in a silicon cap layer located above an upper surface of the device layer, depositing a silicide-forming metal on a top surface of the silicon cap layer, and annealing the deposited silicide-forming metal to form a silicide portion in the silicon cap layer.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé permettant de former un dispositif capteur, lequel procédé comprend les étapes consistant à délimiter une électrode dans le plan dans une couche de dispositif d'une tranche de silicium sur isolant (SOI), à former une électrode hors du plan dans une couche d'encapsulation en silicium située au-dessus d'une surface supérieure de la couche de dispositif, à déposer un métal de formation de siliciure sur une surface supérieure de la couche d'encapsulation en silicium, et à recuire le métal de formation de siliciure déposé en vue de former une partie de siliciure dans la couche d'encapsulation en silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)