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1. (WO2014031413) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS À DOUBLE FONCTION DE TRAVAIL ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/031413    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/054969
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 14.08.2013
CIB :
H01L 27/088 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (US only)
Inventeurs : NAKAMURA, Genji; (US).
HASEGAWA, Toshio; (US)
Mandataire : LUDVIKSSON, Audunn; 2545 W. Frye Road, Suite 1 Chandler, Arizona 85224 (US)
Données relatives à la priorité :
61/691,212 20.08.2012 US
13/632,101 30.09.2012 US
Titre (EN) DUAL WORKFUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS À DOUBLE FONCTION DE TRAVAIL ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the invention provide dual workfunction semiconductor devices and method for manufacturing thereof. According to one embodiment, the method includes providing a substrate containing first and second device regions, depositing a dielectric film on the substrate, and forming a first metal-containing gate electrode film on the dielectric film, wherein a thickness of the first metal-containing gate electrode film is less over the first device region than over the second device region. The method further includes depositing a second metal-containing gate electrode film on the first metal-containing gate electrode film, patterning the second metal-containing gate electrode film, the first metal-containing gate electrode film, and the dielectric film to form a first gate stack above the first device region and a second gate stack above the second device region.
(FR)Selon des modes de réalisation, l'invention concerne des dispositifs semi-conducteurs à double fonction de travail et un procédé de fabrication de ceux-ci. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend l'utilisation d'un substrat contenant des première et seconde régions de dispositif, le dépôt d'un film diélectrique sur le substrat et la formation d'un premier film d'électrode de grille contenant du métal sur le film diélectrique, une épaisseur du premier film d'électrode de grille contenant du métal étant inférieure sur la première région du dispositif que sur la seconde région du dispositif. Le procédé comprend en outre le dépôt d'un second film d'électrode de grille contenant du métal sur le premier film d'électrode de grille contenant du métal, la formation de motifs sur le second film d'électrode de grille contenant du métal, sur le premier film d'électrode de grille contenant du métal et sur le film diélectrique afin de former un premier empilement de grille au-dessus de la première région du dispositif et un second empilement de grille au-dessus de la seconde région du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)