WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014031119) COUCHES DE NITRURE D'ALUMINIUM MONOCRISTALLIN À HAUTE TRANSPARENCE ET DISPOSITIFS FORMÉS À PARTIR DE CELLES-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/031119    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/052022
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 23.08.2012
CIB :
C30B 25/10 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-8-1, Harumi-cho Fuchu-shi, Tokyo 1838538 (JP) (Tous Sauf US).
TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho Shunan-shi, Yamaguchi 7458648 (JP) (Tous Sauf US).
HEXATECH, INC. [US/US]; 991 Aviation Parkway Morrisville, North Carolina 27560 (US) (Tous Sauf US).
KOUKITU, Akinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI, Yoshinao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGASHIMA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KINOSHITA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBOTA, Yuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
DALMAU, Rafael F. [US/US]; (US) (US Seulement).
XIE, Jinqiao [CN/US]; (US) (US Seulement).
MOODY, Baxter F. [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHLESSER, Raoul [LU/US]; (US) (US Seulement).
SITAR, Zlatko [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOUKITU, Akinori; (JP).
KUMAGAI, Yoshinao; (JP).
NAGASHIMA, Toru; (JP).
KINOSHITA, Toru; (JP).
KUBOTA, Yuki; (JP).
DALMAU, Rafael F.; (US).
XIE, Jinqiao; (US).
MOODY, Baxter F.; (US).
SCHLESSER, Raoul; (US).
SITAR, Zlatko; (US)
Mandataire : HUMPHREY, Christopher, M.; Womble Carlyle Sandridge & Rice, LLP P.O. Box 7037 Atlanta, Georgia 30357 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGHLY TRANSPARENT ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALLINE LAYERS AND DEVICES MADE THEREFROM
(FR) COUCHES DE NITRURE D'ALUMINIUM MONOCRISTALLIN À HAUTE TRANSPARENCE ET DISPOSITIFS FORMÉS À PARTIR DE CELLES-CI
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides highly transparent single crystalline AlN layers as device substrates for light emitting diodes in order to improve the output and operational degradation of light emitting devices. The highly transparent single crystalline AlN layers have a refractive index in the a-axis direction in the range of 2.250 to 2.400 and an absorption coefficient less than or equal to 15 cm-1 at a wavelength of 265 nm. The invention also provides a method for growing highly transparent single crystalline AlN layers, the method including the steps of maintaining the amount of Al contained in wall deposits formed in a flow channel of a reactor at a level lower than or equal to 30 % of the total amount of aluminum fed into the reactor, and maintaining the wall temperature in the flow channel at less than or equal to 1200°C.
(FR)La présente invention concerne des couches d'AlN monocristallin à haute transparence, destinées à être utilisées en tant que substrats de dispositif pour diodes électroluminescentes afin d'améliorer le rendement et la durée de vie de dispositifs électroluminescents. Lesdites couches d'AlN monocristallin à haute transparence présentent un indice de réfraction dans le sens de l'axe (a) allant de 2,250 à 2,400 et un coefficient d'absorption inférieur ou égal à 15 cm-1 sur une longueur d'onde de 265 nm. L'invention concerne en outre un procédé de croissance de couches d'AlN monocristallin à haute transparence, ledit procédé comprenant les étapes consistant à : maintenir la quantité d'Al contenue dans des dépôts sur paroi formés dans un canal d'écoulement d'un réacteur à un niveau inférieur ou égal à 30 % de la quantité totale de l'aluminium introduit dans le réacteur, et maintenir la température de paroi dans le canal d'écoulement à une valeur inférieure ou égale à 1 200 °C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)