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1. (WO2014030760) DISPOSITIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/030760    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/072638
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 20.08.2013
CIB :
H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : PS5 LUXCO S.A.R.L. [LU/LU]; 208, Val des Bons Malades, Luxembourg L2121 (LU) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
KINDO, Osamu [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : KINDO, Osamu; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-184223 23.08.2012 JP
Titre (EN) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A device includes a substrate having a base member and an insulation film formed on a surface of the base member, a first semiconductor chip mounted over a surface of the substrate on which the insulation film are formed, a second semiconductor chip stacked over the first semiconductor chip so that an overhang portion is formed, and a sealing member formed on the substrate so that the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are covered with the sealing member. The insulation film has a first opening portion in a first area of the substrate that overlaps the overhang portion. The base member has an air passage communicating with the first opening portion.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif qui inclut un substrat qui est doté d'un élément de base et d'un film isolant qui est formé sur une surface de l'élément de base, une première puce de semi-conducteur qui est montée sur une surface du substrat sur laquelle le film isolant est formé, une seconde puce de semi-conducteur qui est empilée sur la première puce de semi-conducteur de sorte qu'une partie en surplomb est formée, et un élément d'étanchéité qui est formé sur le substrat de sorte que la première puce de semi-conducteur et la seconde puce de semi-conducteur sont recouvertes avec l'élément d'étanchéité. Le film isolant est pourvu d'une première partie d'ouverture dans une première zone du substrat qui chevauche la partie en surplomb. L'élément de base est pourvu d'un passage d'air qui communique avec la première partie d'ouverture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)