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1. (WO2014030647) PARCOURS DE LIGNE PARALLÈLE CONTENANT UN MATÉRIAU CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FORMATION DE PARCOURS DE LIGNE PARALLÈLE, SUBSTRAT À FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, DISPOSITIF ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/030647    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/072201
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 20.08.2013
CIB :
H01B 5/14 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H05K 3/10 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 2-7-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
Inventeurs : OHYA Hidenobu; (JP).
USHIKU Masayuki; (JP).
YAMAUCHI Masayoshi; (JP).
NIIZUMA Naoto; (JP)
Mandataire : MARUYAMA Eiichi; MF Bldg. 8th Floor, 6-14-9, Soto-kanda, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-181940 20.08.2012 JP
2012-275128 17.12.2012 JP
Titre (EN) PARALLEL LINE PATTERN CONTAINING CONDUCTIVE MATERIAL, PARALLEL LINE PATTERN FORMATION METHOD, SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) PARCOURS DE LIGNE PARALLÈLE CONTENANT UN MATÉRIAU CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FORMATION DE PARCOURS DE LIGNE PARALLÈLE, SUBSTRAT À FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, DISPOSITIF ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 導電性材料を含む平行線パターン、平行線パターン形成方法、透明導電膜付き基材、デバイス及び電子機器
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a parallel line pattern containing a conductive material and a parallel line pattern formation method capable of improving transparency of and resistance value stability for a fine conductor pattern. The parallel line pattern is characterized by having at least one or more sets of parallel lines (10) that contain a conductive material and are formed on a substrate (2), and each set of parallel lines (10) consists of parallel lines (10) formed by conductive material being separated by movement of a fluid. The parallel line pattern formation method is characterized in that when evaporating a fluid that is linearly applied onto the substrate (2) so as to form the parallel line pattern (1) having at least one or more sets of parallel lines (10) containing the conductive material, the convective state of the linear fluid is controlled such that the conductive material is selectively deposited at edges of the linear fluid.
(FR)Le but de la présente invention est de fournir un parcours de ligne parallèle contenant un matériau conducteur et un procédé de formation de parcours de ligne parallèle apte à améliorer la transparence de et la stabilité de valeur de résistance pour un parcours de conducteur mince. Le parcours de ligne parallèle est caractérisé par le fait qu'il comporte au moins un ou plusieurs ensembles de lignes parallèles (10) qui contiennent un matériau conducteur et sont formées sur un substrat (2), et chaque ensemble de lignes parallèles (10) comprend des lignes parallèles (10) formées par un matériau conducteur qui est séparé par mouvement d'un fluide. Le procédé de formation de parcours de ligne parallèle est caractérisé par le fait que lors de l'évaporation d'un fluide qui est appliqué de manière linéaire sur le substrat (2) afin de former le parcours de ligne parallèle (1) ayant au moins un ou plusieurs ensembles de lignes parallèles (10) contenant le matériau conducteur, l'état convectif du fluide linéaire est commandé de telle sorte que le matériau conducteur est déposé de manière sélective au niveau de bords du fluide linéaire.
(JA) 導電体の細線パターンにおいて、透明性と抵抗値の安定性を向上できる導電性材料を含む平行線パターン、及び、平行線パターン形成方法の提供を目的とし、該平行線パターンは、基材2上に形成された導電性材料を含む1組以上の平行線10を少なくとも有し、各平行線10は導電性材料が液体の動きにより分離されてなる平行線10であることを特徴とし、該平行線パターン形成方法は、導電性材料を含む少なくとも1組以上の平行線10を有する平行線パターン1を、基材2上に形成されたライン状液体を蒸発させる際に、該ライン状液体の縁に前記導電性材料を選択的に堆積させるように、該ライン状液体の対流状態を制御することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)