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1. (WO2014030458) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/030458    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069085
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 12.07.2013
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Déposants : HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503 (JP)
Inventeurs : MIMA Akira; (JP).
NAKATSU Kinya; (JP).
TOKUYAMA Takeshi; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-181301 20.08.2012 JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体モジュール
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the invention is to facilitate a mounting process and to improve the reliability of a power semiconductor module. The power semiconductor module comprises: first and second conductor plates on which a power semiconductor element is mounted; and a wiring substrate on which a driving element for driving the power semiconductor element is mounted. In the power semiconductor module, when the first conductor plate is projected from a direction perpendicular to the facing surface of the first conductor plate facing the power semiconductor element, the wiring substrate is arranged so that a part of the projection of the wiring substrate overlaps the projection of the first conductor plate, and is joined to the first conductor plate. The driving element and a wiring conductor are arranged so that the projections of the driving element and wiring conductor do not overlap the projections of the first and second conductor plates.
(FR)L'objet de la présente invention est de faciliter un processus de montage et d'améliorer la fiabilité d'un module semi-conducteur de puissance. Pour ce faire, la présente invention a trait à un module semi-conducteur de puissance qui comprend : des première et seconde plaques conductrices sur lesquelles est monté un élément semi-conducteur de puissance ; et un substrat de câblage sur lequel est monté un élément moteur permettant d'entraîner l'élément semi-conducteur de puissance. Dans le module semi-conducteur de puissance, lorsque la première plaque conductrice fait saillie à partir d'une direction perpendiculaire à la surface opposée de la première plaque conductrice qui fait face à l'élément semi-conducteur de puissance, le substrat de câblage est agencé de manière à ce qu'une partie de la projection du substrat de câblage chevauche la projection de la première plaque conductrice, et est joint à la première plaque conductrice. L'élément moteur et un conducteur de câblage sont agencés de sorte que les projections de l'élément moteur et le conducteur de câblage ne chevauchent pas les projections des première et seconde plaques conductrices.
(JA) 実装プロセスを容易にすること及び、パワー半導体モジュールの信頼性を向上することである。 パワー半導体素子が実装されている前記第1および第2の導体板と、前記パワー半導体素子を駆動する前記駆動素子が実装された前記配線基板を備えたパワー半導体モジュールであって、前記パワー半導体素子と対向する前記第1導体板の対向面の垂直方向から投影した場合に、前記配線基板は、当該配線基板の射影部の一部が前記第1導体板の射影部と重なるように配置されるとともに前記第1導体板に接合され、前記駆動用素子及び前記配線導体は、当該駆動用素子及び当該配線導体の射影部が前記第1導体板及び前記第2射影部の射影部と重ならないように配置されるパワー半導体モジュール。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)