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1. (WO2014030431) DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/030431    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067762
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 28.06.2013
CIB :
G02B 27/09 (2006.01), B23K 26/06 (2014.01), B23K 26/073 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416025 (JP)
Inventeurs : SHUDO, Kazumasa; (JP)
Mandataire : KITAYAMA, Mikio; OWA PATENT FIRM, Tokyo Office, 3rd Floor, Sankyo Building, 2-1-2, Koishikawa, Bunkyo-ku, Tokyo 1120002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-183240 22.08.2012 JP
Titre (EN) LASER ILLUMINATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE LASER
(JA) レーザ照射装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser oscillator is constituted by arranging laser diodes in two-dimensional fashion in a fast axis and slow axis direction. A laser beam that is emitted from the semiconductor laser oscillator is directed into a homogeniser. The homogeniser collects the laser beam into an elongate optical input region of the illuminated surface. The homogeniser divides the laser beam into a plurality of beams in relation to the short axis direction of the optical input region and inputs this plurality of divided beams into the optical input region in superimposed fashion on the illuminated surface. The slow axis direction of the semiconductor laser oscillator is inclined with respect to the long axis direction of the optical input region.
(FR)Selon la présente invention, un oscillateur laser à semi-conducteurs est constitué par agencement de diodes laser de façon bidimensionnelle dans une direction d'axe rapide et d'axe lent. Un faisceau laser qui est émis par l'oscillateur laser à semi-conducteurs est dirigé dans un homogénéisateur. L'homogénéisateur collecte le faisceau laser dans une région d'entrée optique allongée de la surface éclairée. L'homogénéisateur divise le faisceau laser en une pluralité de faisceaux par rapport à la direction d'axe court de la région d'entrée optique et met en entrée cette pluralité de faisceaux divisés dans la région d'entrée optique de façon superposée sur la surface éclairée. La direction d'axe lent de l'oscillateur laser à semi-conducteurs est inclinée par rapport à la direction d'axe long de la région d'entrée optique.
(JA) レーザダイオードが速軸及び遅軸方向に二次元的に配置されて、半導体レーザ発振器が構成される。半導体レーザ発振器から射出したレーザビームがホモジナイザに入射する。ホモジナイザは、被照射面において長尺の入射領域にレーザビームを集光させる。ホモジナイザは、入射領域の短軸方向に関してレーザビームを複数のビームに分割し、分割された複数のビームを被照射面において重ね合わせて入射領域に入射させる。半導体レーザ発振器の遅軸方向が、入射領域の長軸方向に対して傾斜している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)