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1. (WO2014030354) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/030354    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/004969
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 22.08.2013
CIB :
H05B 33/10 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/12 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Inventeurs : ISHINO, Shinichiro; .
MASUDA, Tomoki; .
KUSUKAME, Haruka;
Mandataire : NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan, 2-1, Toyosaki 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5310072 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-184102 23.08.2012 JP
Titre (EN) ORGANIC ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD AND ORGANIC EL DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機電子デバイスの製造方法および有機ELデバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, the following are included: a first electrode forming step; a first partition forming step; a first organic functional film forming step; a second partition forming step; a second organic functional film forming step; and a second electrode forming step. In the second partition forming step the second partition is formed so that, in plan view, the bottom edge of a lateral wall facing a second opening of the second partition is in the same position as the bottom edge of the lateral wall facing a first opening of the first partition, or is in a position that is recessed more than such bottom edge. In the second organic functional film forming step, a second ink droplet is dropped so that the upper edge of the second organic functional film in the second opening is in the same position as the bottom edge of the lateral wall facing the second opening of the second partition, or is farther above such bottom edge.
(FR)Selon la présente invention, le procédé de fabrication inclut les étapes suivantes : une étape de formation de première électrode ; une étape de formation de première cloison ; une étape de formation de premier film fonctionnel organique ; une étape de formation de seconde cloison ; une étape de formation de second film fonctionnel organique ; et une étape de formation de seconde électrode. Au cours de l'étape de formation de seconde cloison, la seconde cloison est formée de manière à ce que, en vue en plan, le bord inférieur d'une paroi latérale qui fait face à une seconde ouverture de la seconde cloison est dans la même position que le bord inférieur de la paroi latérale qui fait face à une première ouverture de la première cloison, ou est dans une position qui est davantage en retrait que ledit bord inférieur. Au cours de l'étape de formation de second film fonctionnel organique, une seconde gouttelette d'encre est laissée tomber de sorte que le bord supérieur du second film fonctionnel organique dans la seconde ouverture est dans la même position que le bord inférieur de la paroi latérale qui fait face à la seconde ouverture de la seconde cloison, ou est davantage au-dessus dudit bord inférieur.
(JA) 第1電極形成工程、第1隔壁形成工程、第1有機機能膜成膜工程、第2隔壁形成工程、第2有機機能膜成膜工程、第2電極形成工程を備える。第2隔壁形成工程では、平面視において、第2隔壁の前記第2開口部を臨む側壁の底部端縁が、第1隔壁の第1開口部を臨む側壁の底部端縁と同位置、または当該底部端縁よりも後退した位置になるように、第2隔壁を形成する。第2有機機能膜形成工程では、第2開口部内の第2有機機能膜の上端縁が、第2隔壁の第2開口部を臨む側壁の底部端縁と同位置、または当該底部端縁よりも上方となるように、第2インク液滴を滴下する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)