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1. (WO2014030026) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTRIQUES, ET ENSEMBLE DE CIRCUITS DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTRIQUES, CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2014/030026 N° de la demande internationale : PCT/IB2012/001774
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 22.08.2012
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Déposants :
LAINE, Jean Philippe [FR/FR]; FR (UsOnly)
BESSE, Patrice [FR/FR]; FR (UsOnly)
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, TX 78735, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
LAINE, Jean Philippe; FR
BESSE, Patrice; FR
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN ESD PROTECTION DEVICE, AN ESD PROTECTION CIRCUITRY, AN INTEGRATED CIRCUIT AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTRIQUES, ET ENSEMBLE DE CIRCUITS DE PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTRIQUES, CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A semiconductor device (200) is provided which comprises an ESD protection device. The ESD protection device is being formed by one or more pnp transistors which are present in the structure of the semiconductor device (200). The semiconductor device (200) comprises two portions (234, 240) of an isolated p-doped region which are separated by an N-doped region (238). Two p- doped regions (210, 224) are provided within the two portions (23, 240). The p-dopant concentration of the two-doped region (210, 224) is higher than the p-dopant concentration of the isolated p-doped region. A first electrical contact (214) is connected only via a highly doped p-contact region (212) to the first p-doped region (210) and a second electrical contact (222) is connected only via another highly doped p-contact region (222) to the second p-doped region (224).
(FR) La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur (200) qui comprend un dispositif de protection contre les décharges électriques. Le dispositif de protection contre les décharges électriques est constitué d'un ou de plusieurs transistors PNP qui sont présents dans la structure du dispositif à semi-conducteur (200). Le dispositif à semi-conducteur (200) comprend deux parties (234, 240) d'une région dopée P isolée qui sont séparées par une région dopée N (238). Deux régions dopées P (210, 224) sont prévues à l'intérieur des deux parties (23, 240). La densité des atomes dopants P des deux régions dopées P (210, 224) est supérieure à la densité des atomes dopants P de la région dopée P isolée. Un premier contact électrique (214) est connecté uniquement par l'intermédiaire d'une région de contact P hautement dopée (212) à la première région dopée P (210) et un second contact électrique (222) est connecté uniquement par l'intermédiaire d'une autre région de contact P hautement dopée (222) à la seconde région dopée P (224).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)