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1. (WO2014029633) CORPS SEMICONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE SEMICONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/029633    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/066656
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 08.08.2013
CIB :
H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : TÅNGRING, Ivar; (DE).
EBBECKE, Jens; (DE).
PIETZONKA, Ines; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 107 795.9 23.08.2012 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) CORPS SEMICONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE SEMICONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einem ersten Barrierebereich (21) und einem zweiten Barrierebereich (22) aufweist. Der aktive Bereich (20) ist zwischen dem ersten Barrierebereich (21) und dem zweiten Barrierebereich (22) angeordnet. In dem ersten Barrierebereich (21) ist zumindest eine Ladungsträgerbarriereschicht (3) angeordnet, die zugverspannt ist. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Halbleiterkörper angegeben.
(EN)An optoelectronic semiconductor body (1) is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) having an active region (20) provided for generating radiation, a first barrier region (21) and a second barrier region (22). The active region (20) is arranged between the first barrier region (21) and the second barrier region (22). At least one charge carrier barrier layer (3) is arranged in the first barrier region (21), said at least one charge carrier barrier layer being tensile-strained. Furthermore, a semiconductor chip (10) comprising such a semiconductor body is specified.
(FR)L'invention concerne un corps semiconducteur optoélectronique (1) présentant une suite de couches semiconductrices (2) comprenant une zone active (20) pour la production d'un rayonnement, une première zone barrière (21) et une seconde zone barrière (22). La zone active (20) est disposée entre la première zone barrière (21) et la seconde zone barrière (22). La première zone barrière (21) contient au moins une couche barrière aux porteurs de charge (3) déformée par traction. L'invention concerne également une puce semiconductrice (10) comportant un tel corps semiconducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)