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1. (WO2014029152) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/029152    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/081513
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 17.09.2012
CIB :
H01L 23/52 (2006.01), C23C 16/26 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
LIANG, Qingqing [CN/US]; (US) (US only).
WANG, Guanzhong [CN/CN]; (CN) (US only).
ZHU, Huilong [US/US]; (US) (US only).
ZHONG, Huicai [CN/US]; (US) (US only).
CHEN, Dapeng [CN/CN]; (CN) (US only).
YE, Tianchun [CN/CN]; (CN) (US only)
Inventeurs : LIANG, Qingqing; (US).
WANG, Guanzhong; (CN).
ZHU, Huilong; (US).
ZHONG, Huicai; (US).
CHEN, Dapeng; (CN).
YE, Tianchun; (CN)
Mandataire : HANHOW INTELLECTUAL PROPERTY PARTNERS; ZHU, Haibo W1-1111, f/11 Oriental plaza, No.1 East Chang An Avenue, Dongcheng District Beijing 100738 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210298158.2 20.08.2012 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种半导体结构及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a manufacturing method of a semiconductor structure. The method comprises: a) providing a substrate; b) etching the substrate to form an opening (201) having a bottom; c) forming a metal plug (202) filling the opening (201); and d) forming a grapheme layer (300) on the substrate, the grapheme layer (300) being in contact with an upper plane of the metal plug (202). Correspondingly, the present invention further provides a semiconductor structure formed according to the above manufacturing method. According to the method and the structure, grapheme is crystallized in a predetermined area, the particle size of grapheme crystals is increased, and by using a step of optimally depositing the grapheme, the uniformity of a grapheme material is improved, thereby improving working performance and stability of the grapheme material in the semiconductor structure.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice. Le procédé comprend les étapes consistant : a) à fournir un substrat ; b) à graver le substrat en vue de former une ouverture (201) qui est dotée d'un fond ; c) à former une fiche métallique (202) qui remplit l'ouverture (201) ; et d) à former une couche de graphème (300) sur le substrat, la couche de graphème (300) étant en contact avec un plan supérieur de la fiche métallique (202). De façon correspondante, la présente invention a en outre trait à une structure semi-conductrice qui est formée conformément au procédé de fabrication ci-dessus décrit. Selon le procédé et la structure, le graphème est cristallisé dans une zone prédéterminée, la dimension des particules des cristaux de graphème est augmentée, et grâce à l'utilisation d'une étape consistant éventuellement à déposer le graphème, l'uniformité d'un matériau de graphème est améliorée, ce qui permet de la sorte d'améliorer la performance de travail et la stabilité du matériau de graphème dans la structure semi-conductrice.
(ZH)本发明提供了一种半导体结构的制造方法,该方法包括:a)提供基层; b)刻蚀所述基层形成有底的开口(201);c)形成填充所述开口(201)的金属塞(202);d)在所述基层上形成与所述金属塞(202)的上平面相接触的石墨烯层(300)。相应地,本发明还提供根据上述制造方法形成的半导体结构。上述方法和结构通过将石墨烯结晶形成在预定区域中,增加了石墨烯结晶的颗粒尺寸,并结合最优化沉积石墨烯的步骤,有助于提升石墨烯材质的均匀度,因此提升了石墨烯材质在半导体结构中的工作性能以及稳定性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)