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1. (WO2014029136) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/029136    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/081007
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 05.09.2012
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road Chaoyang District, Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
MENG, Lingkuan [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : MENG, Lingkuan; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 11/F., Bldg. D, International Finance and Economics Center No.87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210300046.6 21.08.2012 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体器件制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method, comprising: etching in an interlayer dielectric layer (3) on a substrate (1) to form a plurality of first openings (3A); forming an opening modifying layer (4) in the plurality of first openings (3A); etching the opening modifying layer (4), until the substrate (1) is exposed, to form a plurality of second openings(3B), the depth-to-width ratio of the second opening (3B) being greater than the depth-to-width ratio of the first opening (3A). According to the semiconductor device manufacturing method, a larger silicon oxide deep hole is prepared based on a conventional photolithography technique, feature sizes are obtained by depositing a silicon nitride film, and a silicon nitride deep hole is etched by using a unique fluorocarbon gas, so as to obtain a structure with a higher depth-to-width ratio.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, lequel procédé comprend les étapes consistant : à procéder à une gravure dans une couche diélectrique intermédiaire (3) sur un substrat (1) en vue de former une pluralité de premières ouvertures (3A) ; à former une couche de modification d'ouverture (4) dans la pluralité de premières ouvertures (3A) ; à graver la couche de modification d'ouverture (4), jusqu'à ce que le substrat (1) soit exposé, en vue de former une pluralité de secondes ouvertures (3B), le rapport de la profondeur sur la largeur de la seconde ouverture (3B) étant supérieure au rapport de la profondeur sur la largeur de la première ouverture (3A). Selon le procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur, il est possible de préparer un plus grand trou profond d'oxyde de silicium en se basant sur une technique de photolithographie classique, d'obtenir des tailles élément grâce au dépôt d'un film de nitrure de silicium, et de graver un trou profond de nitrure de silicium à l'aide d'un gaz fluorocarboné unique, de sorte à obtenir une structure qui soit dotée d'un rapport plus élevé de la profondeur sur la largeur.
(ZH)一种半导体器件制造方法,包括:在衬底(1)上的层间介质层(3)中刻蚀形成多个第一开口(3A);在多个第一开口(3A)中形成开口修饰层(4);刻蚀开口修饰层(4),直到暴露衬底(1),形成多个第二开口(3B),其中第二开口(3B)的深宽比大于第一开口的深宽比(3A)。依照该半导体器件制造方法,基于传统光刻工艺的条件下制备出较大的氧化硅深孔,然后沉积氮化硅薄膜获得所需要的特征尺寸,并采用独特的碳氟基气体来刻蚀氮化硅深孔,从而获得较高深宽比结构。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)