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1. (WO2014029063) PROCÉDÉ D'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DE SURFACE D'UN FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT À BASE DE ZNO ET PRODUITS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/029063    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/080360
Date de publication : 27.02.2014 Date de dépôt international : 20.08.2012
CIB :
C23F 1/00 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), C23C 14/00 (2006.01)
Déposants : ENN SOLAR ENERGY CO., LTD [CN/CN]; Huaxiang Road 106 Langfang Economic & Technological Development, Hebei 065001 (CN) (Tous Sauf US).
CHEN, Guangyu [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LEI, Zhifang [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
GU, Shibin [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Guangyu; (CN).
LEI, Zhifang; (CN).
GU, Shibin; (CN)
Mandataire : TDIP & PARTNERS; Room 2002 A-Building North Ring Center No. 18 Yumin Road Xicheng District Beijing 100029 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR OPTIMIZING THE SURFACE PROPERTIES OF ZNO-BASED TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM AND PRODUCTS THEREFROM
(FR) PROCÉDÉ D'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DE SURFACE D'UN FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT À BASE DE ZNO ET PRODUITS ASSOCIÉS
(ZH) 优化ZnO基透明导电膜表面性能的方法及获得的产品
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for optimizing the surface properties of ZnO-based transparent electroconductive film, characterized by comprising the step of smoothing the etch pits and convexes on the surface of etched ZnO-based transparent electroconductive film. Also provided is a ZnO-based transparent electroconductive film optimized by the method and a solar cell using the film. The method can smooth the etch pits and convexes on the surface of etched ZnO-based transparent electroconductive film, thereby reducing the short circuit of the cell.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'optimisation des propriétés de surface d'un film électroconducteur transparent à base de ZnO, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à lisser les figures d'attaque et les zones convexes à la surface du film électroconducteur transparent à base de ZnO gravé. L'invention concerne également un film électroconducteur transparent à base de ZnO optimisé par le procédé et une photopile utilisant le film. Le procédé peut lisser les figures d'attaque et les zones convexes à la surface du film électroconducteur transparent à base de ZnO gravé, réduisant ainsi le court-circuit de la pile.
(ZH)本发明涉及一种优化ZnO基透明导电膜表面性能的方法,其特征在于,该方法包括使腐蚀后的ZnO基透明导电膜表面的蚀坑及凸起变得平滑的步骤。本发明还涉及使用前述方法进行表面优化的ZnO基透明导电膜及使用该ZnO基透明导电膜的太阳电池。本发明涉及优化ZnO基透明导电膜表面性能的方法,使得腐蚀后的ZnO基透明导电膜表面的蚀坑及凸起变得平滑。降低了电池短路现象的发生。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)