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1. WO2014026823 - DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAVITÉS HERMÉTIQUEMENT ÉTANCHES

Numéro de publication WO/2014/026823
Date de publication 20.02.2014
N° de la demande internationale PCT/EP2013/065220
Date du dépôt international 18.07.2013
CIB
H01L 51/52 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
52Détails des dispositifs
B81C 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
CPROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
3Assemblage de dispositifs ou de systèmes à partir de composants qui ont reçu un traitement individuel
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
B81C 1/00269
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00261Processes for packaging MEMS devices
00269Bonding of solid lids or wafers to the substrate
B81C 2201/0197
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0174for making multi-layered devices, film deposition or growing
0197Processes for making multi-layered devices not provided for in groups B81C2201/0176 - B81C2201/0192
B81C 2203/0118
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
01Packaging MEMS
0118Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
B81C 2203/031
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
03Bonding two components
031Anodic bondings
C23C 16/45529
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45523Pulsed gas flow or change of composition over time
45525Atomic layer deposition [ALD]
45527characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
45529specially adapted for making a layer stack of alternating different compositions or gradient compositions
H01L 23/564
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
564Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
Déposants
  • OSRAM OLED GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • LANG, Erwin
  • REUSCH, Thilo
  • SCHWAMB, Philipp
Mandataires
  • VIERING, JENTSCHURA & PARTNER
Données relatives à la priorité
10 2012 214 411.014.08.2012DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN HERMETISCH DICHTER KAVITÄTEN
(EN) DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING HERMETICALLY-SEALED CAVITIES
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAVITÉS HERMÉTIQUEMENT ÉTANCHES
Abrégé
(DE)
In verschiedenen Äusführungsbeispielen wird eine Vorrichtung bereitgestellt, die Vorrichtung aufweisend; einen ersten Träger (102), der mit mindestens einem ALD- Präkursor (302) und/oder mindestens einem MLD- Präkursor (302) belegt ist; einen zweiten Träger (104), der mit mindestens einem ALD- Präkursor (304) und/oder mindestens einem MLD-Präkursor (304) belegt ist, der/die zu dem ALD-Präkursor (302) und/oder MLD- Präkursor (302) des ersten Trägers (102) komplementär ist/sind; wobei der erste Träger (102) mit dem zweiten Träger ( 104 ) zumindest teilweise mittels einer atomaren Verbindung (118) zwischen dem ALD- Präkursor (302) des ersten Trägers (102) und dem ALD-Präkursor (304) des zweiten Trägers (104) bzw. zwischen dem MLD - Präkursor ( 302 ) des ersten Trägers (102) und dem MLD-Präkursor (304 ) des zweiten Trägers (104) verbunden ist derart, dass eine ALD-Schicht ( 118 ) oder eine MLD-Schicht (118) gebildet ist.
(EN)
The invention relates, in different embodiments, to a device comprising: a first carrier (102) that is covered with at least one ALD precursor (302) and/or at least one MLD precursor (302); and a second carrier (104) that is covered with at least one ALD precursor (304) and/or at least one MLD precursor (304) that is/are complementary to the ALD precursor (302) and/or MLD precursor (302) of the first carrier (102); the first carrier (102) being at least partially connected to the second carrier (104) by means of an atomic connection (118) between the ALD precursor (302) of the first carrier (102) and the ALD precursor (304) of the second carrier (104) or between the MLD precursor (302) of the first carrier (102) and the MLD precursor (304) of the second carrier (104) such that an ALD layer (118) or an MLD layer (118) is formed.
(FR)
L'invention concerne un dispositif comprenant : un premier support (102) portant au moins un précurseur de dépôt ALD (302) et/ou au moins un précurseur de dépôt MLD (302); un second support (104) portant au moins un précurseur de dépôt ALD (304) et/ou au moins un précurseur de dépôt MLD (304) complémentaire(s) du précurseur de dépôt ALD (302) et/ou du précurseur de dépôt MLD (302) du premier support (102); le premier support (102) étant lié au second support (104) au moins partiellement au moyen d'une liaison atomique (118) entre le précurseur de dépôt ALD (302) du premier support (102) et le précurseur de dépôt ALD (304) du second support (104), ou entre le précurseur de dépôt MLD (302) du premier support (102) et le précurseur de dépôt MLD (304) du second support (104) de manière à former une couche déposée par ALD (118) ou une couche déposée par MLD (118).
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