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1. (WO2014026018) TRANSISTORS AU NITRURE III DE TYPE À ENRICHISSEMENT AYANT UNE TENSION NOMINALE GRILLE-SOURCE ACCORDABLE ET ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/026018    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/054168
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 08.08.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474 Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only)
Inventeurs : PENDHARKAR, Sameer; (US).
TIPIRNENI, Naveen; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P.O. Box 655474 Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
13/886,410 03.05.2013 US
61/681,298 09.08.2012 US
Titre (EN) III-NITRIDE ENHANCEMENT MODE TRANSISTORS WITH TUNABLE AND HIGH GATE-SOURCE VOLTAGE RATING
(FR) TRANSISTORS AU NITRURE III DE TYPE À ENRICHISSEMENT AYANT UNE TENSION NOMINALE GRILLE-SOURCE ACCORDABLE ET ÉLEVÉE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes an enhancement mode GaN FET (102) with a depletion mode GaN FET (104) electrically coupled in series between a gate node (120) of the enhancement mode GaN FET and a gate terminal (116) of the semiconductor device. A gate node (122) of the depletion mode GaN FET is electrically coupled to a source node (106) of the enhancement mode GaN FET and to a source terminal (108) of the semiconductor device, a drain node (110) of the enhancement mode GaN FET is electrically coupled to a drain terminal (112) of the semiconductor device, and a drain node (114) of the depletion mode GaN FET is electrically coupled to the gate terminal (116) of the semiconductor device.
(FR)Cette invention concerne un dispositif semi-conducteur à régime d'enrichissement GaN FET (102) et régime d'appauvrissement GaN FET (104) couplés en série entre un nœud de grille (120) du régime d'enrichissement GaN FET et une borne de grille (116) du dispositif semi-conducteur. Un nœud de grille (122) du régime d'appauvrissement GaN FET est électriquement couplé à un nœud de source (106) du régime d'enrichissement GaN FET et à une borne de source (108) du dispositif semi-conducteur, un nœud de drain (110) du régime d'enrichissement GaN FET est électriquement couplé à une borne de drain (112) du dispositif semi-conducteur, et un nœud de drain (114) du régime d'appauvrissement GaN FET est électriquement couplé à la borne de grille (116) du dispositif semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)