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1. (WO2014025967) DÉTECTEUR DE RAYONS X MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2014/025967 N° de la demande internationale : PCT/US2013/054074
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 08.08.2013
CIB :
G01T 1/24 (2006.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY[US/US]; One River Road Schenectady, New York 12345, US
Inventeurs : LIU, James Zhengshe; US
BARKER, David Ellis; US
Mandataire : BAXTER, William K.; GE Healthcare 20225 Water Tower Blvd. W492 Brookfield, Wisconsin 53045, US
Données relatives à la priorité :
13/569,89008.08.2012US
Titre (EN) A COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR X-RAY DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONS X MÉTAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE
Abrégé : front page image
(EN) In accordance with one embodiment, a digital X-ray detector is provided. The detector includes a scintillator layer configured to absorb radiation emitted from a radiation source and to emit optical photons in response to the absorbed radiation. The detector also includes a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) light imager that is configured to absorb the optical photons emitted by the scintillator layer. The CMOS light imager includes a first surface and a second surface, and the first surface is disposed opposite the second surface. The scintillator layer contacts the first surface of the CMOS light imager.
(FR) Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un détecteur numérique de rayons X. Le détecteur comprend une couche de scintillateur conçue pour absorber les rayonnements émis par une source de rayonnements et émettre des photons optiques en réponse aux rayonnements absorbés. Le détecteur comprend également un imageur de lumière métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS) qui est configuré pour absorber les photons optiques émis par la couche de scintillateur. L'imageur de lumière CMOS comprend une première surface et une seconde surface, et la première surface est disposée à l'opposé de la seconde surface. La couche de scintillateur est en contact avec la première surface de l'imageur de lumière CMOS.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)