WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014025722) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DESTINÉS À DES DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES DE NITRURE DE GALLIUM UTILISANT DES SUBSTRATS MODIFIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/025722    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/053702
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 06.08.2013
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : AVOGY, INC. [US/US]; 677 River Oaks Parkway San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : NIE, Hui; (US).
DISNEY, Donald R.; (US).
KIZILYALLI, Isik C.; (US)
Mandataire : LARGENT, Craig C.; KILPATRICK TOWNSEND & STOCKTON LLP Two Embarcadero Center, Eighth Floor San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
13/572,408 10.08.2012 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR GALLIUM NITRIDE ELECTRONIC DEVICES USING ENGINEERED SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DESTINÉS À DES DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES DE NITRURE DE GALLIUM UTILISANT DES SUBSTRATS MODIFIÉS
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating an electronic device includes providing an engineered substrate structure comprising a III-nitride seed layer, forming GaN-based functional layers coupled to the III-nitride seed layer, and forming a first electrode structure electrically coupled to at least a portion of the GaN-based functional layers. The method also includes joining a carrier substrate opposing the GaN-based functional layers and removing at least a portion of the engineered substrate structure. The method further includes forming a second electrode structure electrically coupled to at least another portion of the GaN-based functional layers and removing the carrier substrate.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, lequel procédé inclut les étapes consistant à fournir une structure de substrat modifié comprenant une couche de germe de nitrure III, à former des couches fonctionnelles à base de GaN qui sont couplées à la couche de germe de nitrure III, et à former une première structure d'électrode qui est électriquement couplée à au moins une partie des couches fonctionnelles à base de GaN. Le procédé inclut aussi une étape consistant à joindre un substrat de support à l'opposé des couches fonctionnelles à base de GaN et à supprimer au moins une partie de la structure de substrat modifié. Le procédé inclut en outre les étapes consistant à former une seconde structure d'électrode électriquement qui est couplée à au moins une autre partie des couches fonctionnelles à base de GaN et à supprimer le substrat de support.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)