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1. (WO2014025611) TECHNIQUES POUR AMÉLIORER LA PERFORMANCE ET PROLONGER LA DURÉE DE VIE D'UNE SOURCE D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/025611    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/053206
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 01.08.2013
CIB :
H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/02 (2006.01), H01J 27/02 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventeurs : KURUNCZI, Peter F.; (US).
BASSOM, Neil J.; (US).
PLATOW, Wilhelm J.; (US)
Mandataire : DAISAK, Daniel; Kacvinsky Daisak PLLC 3120 Princeton Pike Suite 303 Lawrenceville, New Jersey 08648 (US)
Données relatives à la priorité :
61/680,539 07.08.2012 US
13/955,852 31.07.2013 US
Titre (EN) TECHNIQUES FOR IMPROVING THE PERFORMANCE AND EXTENDING THE LIFETIME OF AN ION SOURCE
(FR) TECHNIQUES POUR AMÉLIORER LA PERFORMANCE ET PROLONGER LA DURÉE DE VIE D'UNE SOURCE D'IONS
Abrégé : front page image
(EN)A system and method of improving the performance and extending the lifetime of an ion source is disclosed. The ion source includes an ion source chamber, a suppression electrode and a ground electrode. In the processing mode, the ion source chamber may be biased to a first positive voltage, while the suppression electrode is biased to a negative voltage to attract positive ions from within the chamber through an aperture and toward the workpiece. In the cleaning mode, the ion source chamber may be grounded, while the suppression electrode is biased using a power supply having a high current capability. The voltage applied to the suppression electrode creates a plasma between the suppression electrode and the ion source chamber, and between the suppression electrode and the ground electrode.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé d'amélioration de la performance et de prolongement de la durée de vie d'une source d'ions. La source d'ions comprend une chambre de source d'ions, une électrode de suppression et une électrode de masse. Dans le mode de traitement, la chambre de source d'ions peut être polarisée à une première tension positive, alors que l'électrode de suppression est polarisée à une tension négative pour attirer des ions positifs depuis l'intérieur de la chambre à travers une ouverture et en direction de la pièce de travail. Dans le mode de nettoyage, la chambre de source d'ions peut être mise à la masse, alors que l'électrode de suppression est polarisée à l'aide d'une alimentation électrique ayant une capacité de courant élevée. La tension appliquée à l'électrode de suppression crée un plasma entre l'électrode de suppression et la chambre de source d'ions, et entre l'électrode de suppression et l'électrode de masse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)