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1. (WO2014025574) APPAREIL ET PROCÉDÉS POUR PROTECTION EN CAS DE DÉFAUT D'AMPLIFICATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/025574    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/052711
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 30.07.2013
CIB :
H03F 1/30 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way Norwood, MA 02062 (US)
Inventeurs : COSGRAVE, Gavin; (US).
SALCEDO, Javier, Alejandro; (US).
HUANG, Yuhong; (US).
CLARKE, David, J.; (US).
LI, Minsheng; (US)
Mandataire : CHRISTENSEN, Michael, R.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP 2040 Main Street, 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
13/570,101 08.08.2012 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHODS FOR AMPLIFIER FAULT PROTECTION
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉS POUR PROTECTION EN CAS DE DÉFAUT D'AMPLIFICATEUR
Abrégé : front page image
(EN)An amplifier includes a fault protection control circuit biased from the signal pin and a fault protection circuit including a first PMOS transistor and a second PMOS transistor. The sources and bodies of the first and second PMOS transistors can be connected to one another, the drain of the first PMOS transistor can be connected to the amplifier's output, and the drain of the second PMOS transistor can be connected to a signal pin. During normal operating conditions, the fault protection control circuit can turn on the first and second PMOS transistors. However, the fault protection control circuit can turn off the first PMOS transistor and turn on the second PMOS transistor when an overvoltage condition is detected, and can turn on the first PMOS transistor and turn off the second PMOS transistor when an undervoltage condition is detected, even when the integrated circuit is unpowered.
(FR)La présente invention porte sur un amplificateur qui comprend un circuit de commande de protection en cas de défaut polarisé à partir de la broche de signal et un circuit de protection en cas de défaut comprenant un premier transistor PMOS et un second transistor PMOS. Les sources et les corps des premier et second transistors PMOS peuvent être connectés les uns aux autres, le drain du premier transistor PMOS peut être connecté à la sortie de l'amplificateur, et le drain du second transistor PMOS peut être connecté à une broche de signal. Durant des conditions de fonctionnement normal, le circuit de commande de protection en cas de défaut peut allumer les premier et second transistors PMOS. Cependant, le circuit de commande de protection en cas de défaut peut éteindre le premier transistor PMOS et allumer le second transistor PMOS lorsqu'une condition de surtension est détectée, et peut allumer le premier transistor PMOS et éteindre le second transistor PMOS lorsqu'une condition de sous-tension est détectée, même lorsque le circuit intégré n'est pas alimenté.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)