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1. (WO2014025522) FABRICATION DE NANOTUBES DE CARBONE À MONOPAROI (SWCNT) PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD) CONTRÔLÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/025522    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/051583
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 23.07.2013
CIB :
C01B 31/02 (2006.01), C01B 31/04 (2006.01), H01G 11/36 (2013.01)
Déposants : GEORGETOWN UNIVERSITY [US/US]; 37th & O Streets, N.W. Washington, DC 20057 (US).
FONTANA, Marcio [BR/BR]; (BR)
Inventeurs : FONTANA, Marcio; (BR).
PARANJAPE, Makarand; (US)
Mandataire : BEY, Dawn-Marie; Bey & Cotropia PLLC 213 Bayly Court Richmond, VA 23229 (US)
Données relatives à la priorité :
13/572,285 10.08.2012 US
Titre (EN) CVD FABRICATION OF SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES
(FR) FABRICATION DE NANOTUBES DE CARBONE À MONOPAROI (SWCNT) PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD) CONTRÔLÉ
Abrégé : front page image
(EN)The system and method disclosed herein provide a predetermined, variable volume argon-hydrogen gas mixture for a chemical vapor deposition (CVD)-based process, which enables the growth of single-walled carbon nanotube (SWCNT) structures. The exemplary SWCNT structures of this system and method are fabricated with a degree of control over the field emissions produced by the SWCNT and the range of diameters of each of the SWCNTs. Specifically, the predetermined diameter ranges and the field emissions of the SWCNT structure corresponds to a predetermined range of concentrations of the argon-hydrogen mixture and the argon concentration respectively. The defects and the diameter of the SWCNTs typically contribute to field emissions from the SWCNT structures at low applied voltages.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé permettant d'obtenir un mélange gazeux prédéterminé d'argon-hydrogène à volume variable, destiné à un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), servant à former des structures de nanotubes de carbone à monoparoi (SWCNT). Les structures SWCNT données en exemple, pouvant être obtenues grâce à ce système et à ce procédé, sont fabriquées avec un degré de contrôle sur les émissions de champ produites par le SWCNT et la plage de diamètres de chacun des SWCNT. Plus précisément, les plages prédéterminées de diamètres et les émissions de champ de la structure SWCNT correspondent, respectivement, à une plage prédéterminée de concentrations du mélange d'argon-hydrogène et à la concentration en argon. Les défauts et le diamètre des SWCNT contribuent généralement aux émissions de champ provenant des structures SWCNT à des tensions appliquées basses.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)