WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014025487) PROCÉDÉ PERMETTANT L'APPLICATION SOUS VIDE D'UN MATÉRIAU DE REMPLISSAGE POUR UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/025487    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/050180
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 12.07.2013
CIB :
H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : NORDSON CORPORATION [US/US]; 28601 Clemens Road Westlake, OH 44145-1119 (US)
Inventeurs : BABIARZ, Alec, J.; (US).
QUINONES, Horatio; (US).
RATLEDGE, Thomas, L.; (US).
ZHAO, Jiangang; (US)
Mandataire : ARDIZZONE, Timothy, D.; Wood, Herron & Evans, LLP 2700 Carew Tower 441 Vine Street Cincinnati, OH 45202-2917 (US)
Données relatives à la priorité :
13/548,965 13.07.2012 US
Titre (EN) METHOD FOR VACUUM ASSISTED UNDERFILLING OF AN ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT L'APPLICATION SOUS VIDE D'UN MATÉRIAU DE REMPLISSAGE POUR UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods for applying an underfill with vacuum assistance. The method may include dispensing the underfill (30) onto a substrate (12) proximate to at least one exterior edge (18, 20, 22, 24) of an electronic device (14) attached to the substrate (12). A space (28) between the electronic device (14) and the substrate (12) is evacuated through at least one gap (27) in the underfill (30). The method further includes heating the underfill (30) to cause the underfill (30) to flow into the space (28). Because a vacuum condition is supplied in the open portion of the space (28) before flow is initiated, the incidence of underfill voiding is lowered.
(FR)L'invention se rapporte à des procédés destinés à appliquer sous vide un matériau de remplissage. Le procédé peut comporter le dépôt dudit matériau de remplissage (30) sur un substrat (12) proche d'au moins un bord extérieur (18, 20, 22, 24) d'un dispositif électronique (14) fixé au substrat (12). Un espace (28) entre le dispositif électronique (14) et le substrat (12) est vidé par au moins une trouée (27) dans le matériau de remplissage (30). Le procédé comprend en outre le chauffage du matériau de remplissage (30) pour l'amener à couler dans l'espace (28). Puisque la partie ouverte de l'espace (28) est mise sous vide avant que le matériau de remplissage (30) ne coule, le manque de matériau de remplissage est moins important.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)