WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014025227) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE À BASE DE CI(G)S DOTÉE D'UNE COUCHE DE CARBONE RÉDUITE, COUCHE MINCE FABRIQUÉE AU MOYEN DU PROCÉDÉ ET CELLULE SOLAIRE COMPRENANT LA COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/025227    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/007195
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 09.08.2013
CIB :
H01L 31/0749 (2012.01), H01L 31/042 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH [KR/KR]; 152 Gajeong-ro Yuseong-gu Daejeon 305-343 (KR)
Inventeurs : CHO, Ara; (KR).
YOON, Kyung Hoon; (KR).
AHN, SeJin; (KR).
YUN, Jae Ho; (KR).
GWAK, Jihye; (KR).
PARK, Joo Hyung; (KR).
YOO, Jin Su; (KR).
CHO, Jun Sik; (KR).
AHN, Seoungkyu; (KR).
EO, Young Joo; (KR).
KIM, Kihwan; (KR)
Mandataire : DAWOOL PATENT AND LAW FIRM; 5th Floor, Hyejeon Bldg. 224 Bongeunsa-ro Gangnam-gu Seoul 135-913 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0087925 10.08.2012 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CI(G)S-BASED THIN FILM HAVING REDUCED CARBON LAYER, THIN FILM MANUFACTURED BY THE METHOD, AND SOLAR CELL COMPRISING THE THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE À BASE DE CI(G)S DOTÉE D'UNE COUCHE DE CARBONE RÉDUITE, COUCHE MINCE FABRIQUÉE AU MOYEN DU PROCÉDÉ ET CELLULE SOLAIRE COMPRENANT LA COUCHE MINCE
(KO) 탄소층이 감소한 CI(G)S계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for manufacturing a CI(G)S-based thin film, in which slurry prepared by mixing two or more types of binary nanoparticles comprising CI(G)S-based elements, a solution precursor comprising CI(G)S-based elements, an alcohol-based solvent and a chelating agent is used so as to reduce the carbon layer formed between the CI(G)S-based thin film and molybdenum. More particularly, the method for manufacturing a CI(G)S-based thin film according to the present invention comprises: a step (step a) of preparing slurry by mixing two or more types of binary nano particles comprising CI(G)S-based elements, a solution precursor comprising CI(G)S-based elements, an alcohol-based solvent and a chelating agent; a step (step b) of forming a CI(G)S-based thin film by non-vacuum coating the slurry; and a step (step c) of performing selenization on the formed CI(G)S-based thin film.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'une couche mince à base de CI(G)S, au cours duquel la bouillie qui est préparée en mélangeant deux types ou plus de nanoparticules binaires comprenant des éléments à base de CI(G)S, un précurseur de solution comprenant des éléments à base de CI(G)S, un solvant à base d'alcool et un agent chélatant est utilisée de manière à réduire la couche de carbone qui est formée entre la couche mince à base de CI(G)S et du molybdène. Plus particulièrement, le procédé de fabrication d'une couche mince à base de CI(G)S selon la présente invention comprend : une étape (étape a) consistant à préparer une bouillie en mélangeant deux types ou plus de nanoparticules binaires comprenant des éléments à base de CI(G)S, un précurseur de solution comprenant des éléments à base de CI(G)S, un solvant à base d'alcool et un agent chélatant ; une étape (étape b) consistant à former une couche mince à base de CI(G)S par revêtement sans vide de la bouillie ; et une étape (étape c) consistant à effectuer une sélénisation sur la couche mince à base de CI(G)S formée.
(KO)본 발명은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자,CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 제조한 슬러리를 사용함으로써 CI(G)S계 박막과 몰리브데늄 사이에 형성되는 탄소층을 감소시킬 수 있는 CI(G)S계 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는,본 발명에 따른 CI(G)S계 박막의 제조방법은 CI(G)S계 원소를 포함하는 두 종류 이상의 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 알코올계 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계(단계 a); 상기 슬러리를 비진공 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및 상기 형성된 CI(G)S계 박막에 셀렌화 열처리하는 단계(단계 c)를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)